第 2 光子的光共振腔 - 當前研究到半導體可飽和的吸收體鏡子 (SESAM) 裡

包括的事宜

學習半導體可飽和的吸收體鏡子 (SESAMs) 使用 Quantum 小點和 SESAMs 的應用程序方面

做的短和長波長半導體進程可飽和的吸收體鏡子 (SESAMs) 使用基於鎵的材料

大廈半導體可飽和的吸收體鏡子 (SESAMs) 到達到模式鎖定的激光系統裡

學習半導體可飽和的吸收體鏡子 (SESAMs) 使用 Quantum 小點和 SESAMs 的應用程序方面

做的短和長波長半導體進程可飽和的吸收體鏡子 (SESAMs) 使用基於鎵的材料

我們的重點在運行在 400 前後的 SESAMs - 430 毫微米和 1 - 1.55 µm 波長範圍。 我們將生長 GaN 和相關材料使用金屬有機化學製品蒸氣證言 (MOCVD)做短波 (大約 410 毫微米) 使用 GaInN 數量井, SESAMs。 我們也將學習 GaInAsN 材料并且製造 GaInAsN 長波長的數量井 SESAMs (1 - 1.55 µm) 使用分子束 expitaxy (MBE) 晶體成長方法。 使用 GaInAs 數量小點的 SESAMs 也將被研究。

大廈半導體可飽和的吸收體鏡子 (SESAMs) 到達到模式鎖定的激光系統裡

我們將優選增長條件,用多種描述特性技術學習有形資產,設計設備結構和測試用不同的設計結構的。 在設備製造是完全的後,設備將被建立到激光系統達到模式鎖定,導致微微秒對飛秒超短波的光學脈衝。

來源: NUS Nanoscience 和納米技術主動性,國家大學新加坡

關於此來源的更多信息请請參觀 NUS Nanoscience 和納米技術主動性

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:16

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