Semi-conducteurs et la Microscopie Ultra-violette des Semi-conducteurs Modelés par des Technologies de CRAIC

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Mouvement Propre
Microscopie Ultra-violette des Semi-conducteurs Modelés


Mouvement Propre

Les Technologies de CRAIC est le développeur principal des mondes des instruments scientifiques de domaine UV-visible-NIR pour la microanalyse. Celles-ci comprennent les instruments UV-visibles-NIR de microspectrophotomètre de suite de QDI conçus pour vous aider non-destructively à mesurer les propriétés optiques des échantillons microscopiques. Les microscopes de suite de l'UVM de CRAIC couvrent le domaine UV, visible et de NIR et vous aident à analyser avec des définitions submicroniques bien au-delà du domaine visible. Les Technologies de CRAIC a également le microspectrometer de Raman de suite de CTR pour l'analyse non destructive des échantillons microscopiques. Et n'oubliez pas que CRAIC recule fièrement nos produits de microspectrometer et de microscope avec le service et support inégalé.

Microscopie Ultra-violette des Semi-conducteurs Modelés

Les Technologies de CRAIC a développé un microscope grand de domaine spectral, le Microscope de l'Ultra violet UVM-1.  Ce seul microscope est conçu pour la représentation de haute résolution dans toutes les régions spectrales infrarouges d'ultra violet, visibles et proches.  En Raison de la souplesse de son design, ce système peut à la représentation de différentes longueurs d'onde aux domaines spectraux grands.  Ces domaines mettent en boîte sélecté et facilement changé par l'utilisateur.

Une des premières applications de ce système était aux circuits de semi-conducteur à échelle réduite d'image.  Est Ci-dessous une image d'une zone d'un disque modelé qui est imagé dans la gamme de longueurs d'onde de 279 à 367 le nanomètre (FWHM) avec l'illumination spéculaire d'incident.  Ceci permet la téléphoniste au détail de fin d'image extrêmement et pour étudier les matériaux autrement sans couleur qui absorbent dans la région UV.

Le Schéma 2. disque Modelé

Auteur Primaire : M. Paul Martin
Source : Microscopie Ultra-violette des Semi-conducteurs Modelés par des Technologies de CRAIC.
Pour plus d'informations sur cette source visitez s'il vous plaît les Technologies de CRAIC

Date Added: Apr 28, 2008 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 17:48

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