Воображение и Nano-Maching Graphene Используя ОРИОН ПЛЮС Микроскоп Иона Гелия Карл Zeiss

Покрытые Темы

Предпосылка
Настоящие Методы Доступные для Pattering Graphene
Воображение и Подвергая механической обработке Graphene Используя ПОЛОЖИТЕЛЬНУЮ ВЕЛИЧИНУ ORION® от Карл Zeiss
Применение
ORION® ПЛЮС Возможности

Предпосылка

Graphene одиночный атомный лист атомов углерода в расположении найденном в графите. Факт что он термодинамически стабилизирован по мере того как однослойное позволяет эксплуатированию своих уникально свойств перехода электрона. В частности, плоские электронные свойства graphene представляют потенциал для его к функции как проводник, транзистор, многоточие суммы, молекулярный переключатель, или другие приборы. Боковое удерживание слоя, однако, ключево к причинять эти поведения быть выраженным. Также очень важно в исследовать эти явления для того чтобы иметь способность контролировать, основано на идущий сверху вниз конструкциях, где делать по образцу сделан в отношении к зондам и внешним соединениям.

Настоящие Методы Доступные для Pattering Graphene

В настоящее время делать по образцу graphene выполнен методами как литографирование STM или луча электронов, но эти терпят от ограничений по объём и управления производственным процессом которые ограничивают достижимую повторимость структур. Поэтому она была бы привлекательна сразу для того чтобы сделать по образцу необходимые структуры с хорошим управлением. В добавлении, полное разрешение также требует высокого воображения разрешения для того чтобы установить отрезки и проверить результаты.

Воображение и Подвергая механической обработке Graphene Используя ПОЛОЖИТЕЛЬНУЮ ВЕЛИЧИНУ ORION® от Карл Zeiss

ORION® ПЛЮС делает им возможной оба к изображению и graphene машины в одной безшовной деятельности. Высокое разрешение микроскопа - значение мирового рекорда для поверхностного воображения на 0,25 nm - совмещенного с своей весьма поверхностной чувствительностью позволяет воображению малых характеристик graphene с одиночным обнаружением монослоя. В добавлении преимущество с лучем иона гелия в что он может нежно подвергнуть graphene механической обработке. Низкий уровень sputter выход, оцененные, что находился между 0,006 и 0,02 атомами углерода в ион гелия, в зависимости от толщины образца и типа субстрата, значит что воображение можно сделать безопасно в более низком режиме дозы пока филировать nano-маштаба можно сделать на большой дозе. Путем toggling конфигурация оптики иона между этими 2 режимами можно унести весь процесс образования прибора: определяющ сферу интересов, определяющ подвергая механической обработке геометрию, делающ отрезки и проверять результат.

Диаграмма 1 демонстрирует и высокую поверхностную чувствительность для graphene воображения и управление скорости для материального удаления. Изображение показывает много поверхностную деталь на образце. 500 зон nm в центре этого изображения подверглась к большой дозе ионов гелия на 38keV. Это облегчило удаление небольшого количества материала от поверхности. Осмотр показывает как топография была сделана квартирой но без значительно филировать в поверхность.

Диаграмма 1. ORION® ПЛЮС изображение graphene наслаивает (не определенная толщина) показывать модификацию поверхности. Малая доза иона была прикладной к конспектированной области. Тонкий поверхностный слой смог выборочно извлечься.

На Диаграмму 2 показано деятельность полного прорыва филируя. В этот случай гораздо большле доза была прикладной к зоне квадрата 100nm, делая чисто, котор подвергли механической обработке характеристикой постоянно слои. Этот тип подвергать механической обработке не возможен с SEM, потому что никакой sputtering. Он также вне досягаемостия традиционного FIB галлия, который создал бы слишком много повреждения и также ввел бы металлические загрязняющие елементы в характеристику. В Виду Того Что выход sputter настолько низок, возможно получить высокий сигнал зашуметь изображение на порядках величины дозы 2 иона под что необходимо, что извлекает одиночный монослой graphene - смысли что воображение без разрушения к образцу. Мы продемонстрировали этим процессом способность создать широкую тесемку 20nm в однослойном graphene - требование для испытывать плоские semiconducting свойства в этом материале.

Диаграмма 2. ORION® ПЛЮС изображение graphene наслаивает показывать филировать иона. Малая квадратная зона в центре коробка, котор 100nm подвергли механической обработке вполне через материал. Остроконечность края коробки демонстрирует превосходное достижимое разрешение которого можно достигнуть для делать по образцу.

Применение

Высокий делать по образцу пространственного разрешения graphene наслаивает для исследования и прототипирования в полупроводнике или полях материальной науки. Это для творения приборов размеров нанометра которые покажут новые полезные свойства должные к удерживанию электрона.

ORION® ПЛЮС Возможности

Высокая чувствительность разрешения и поверхности к листам graphene изображения; способность выбрать или воображение или подвергая механической обработке режимы; non-загрязнять деятельность.

Источник: «Nano-Подвергать механической обработке Graphene в ORION®PLUS» Карл Zeiss

Для больше информации на этом источнике, пожалуйста навестиньте Карл Zeiss.

Date Added: Nov 17, 2010 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:40

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit