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Técnica Evolutiva Nova da Fabricação para Transistor de Graphene

Pela Vontade Soutter

Os Pesquisadores do Instituto de Califórnia Nanosystems no UCLA junto com pesquisadores da Escola do UCLA Henry Samueli da Engenharia e de Ciência Aplicada e de Departamento do UCLA de Química e de Bioquímica desenvolveram uma técnica evolutiva para a fabricação dano-livre de transistor auto-alinhados do graphene.

Transistor do graphene do Auto-alligning (Crédito: UCLA)

Graphene é derivado da grafite e é uma estrutura único-mergulhada de átomos de carbono. Suas propriedades fazem-lhe um candidato ideal para operar-se como transistor para facilitar a revelação de dispositivos electrónicos menores e mais rápidos.

A fabricação da Grande escala do graphene é impedida pela escala de encolhimento dos dispositivos electrónicos e das propriedades distintivas dos graphene. Quando as técnicas convencionais da fabricação são empregadas para a fabricação do graphene, o desempenho e a forma da estrutura do graphene obtêm frequentemente danificados no processo que aquele conduz aos problemas tais como a resistência de série e a capacidade parasítica quando empregado nos circuitos. O método novo envolve o uso de uma carcaça sacrificial para realizar a litografia, depósito e etapas gravar e o emprego subseqüente de um processo de transferência físico para integrar o teste padrão com graphene.

O método pavimenta a maneira para transistor dano-livres, auto-alinhados do graphene com uma freqüência de interrupção de 400 Megahertz, o mais alto até a tâmara para transistor do graphene. Os resultados mostram o potencial para o graphene em dispositivos ultra de alta freqüência.

A pesquisa é financiada pelos Institutos de Saúde Nacionais, pelo National Science Foundation e pelo Escritório dos E.U. da Pesquisa Naval.

Source: http://www.ucla.edu

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