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创建高表面密度的新的自集合技术 Quantum 加点

Published on July 16, 2012 at 5:27 AM

由意志 Soutter

包括 Drs 的研究小组。 Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma 和 Masafumi Jo 从国家学院的光子的材料部件材料学在叫作半导体数量小点的小滴外延的复杂的自汇编的技术的发展介入。

使形成的 (AFM)超离频的表面密度数量小点的基本强制显微镜图象相当数量镓辐照区域降低到 3 单层在增长温度 30°C。 一个超离频的表面密度 7.3 x 1011/cm2 达到。

研究员顺利地开发了先进的自汇编的技术对表单与记录表面密度的数量小点。 而且,自被汇编的数量小点编组散发的强大的 photoluminescence,表明构想的技术可能也用于获得优越水晶质量。

在此技术,高索引表面基体的利用率,镓小滴创建和结晶在近室温度和小滴结合抑制通过增加由供应的镓数量在砷化镓数量小点的形成被引入被小滴外延。 因此,研究员顺利地被创建的自被汇编的砷化镓数量加点与史无前例的表面密度 7.3x1011/cm2 在一个格子被符合的系统。 他们也发现恢复在结晶时被形成的缺陷在近室温度是可能的通过运用在热治疗技术的技能的被结晶的数量小点,因而启用这个数量加点展示强大的 photoluminescence。

小滴外延是实现数量在格子被符合的系统的小点自集合的唯一的技术并且提供严密堆积优秀品质数量小点层的更多编号的福利,当保留高结晶性时。 因此,在此研究综合的超离频的密度飞机数量小点的严密的装箱非常将实现高容量密度数量小点材料的形成,对传统技术是不可能的。 此研究铺平道路发展优越性能数量基于小点的电子和光学设备。

研究发现在应用物理学信函的在线版本报告了。

来源: http://www.nims.go.jp

Last Update: 16. July 2012 07:33

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