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Technique Novatrice Pour Régler la Conductivité Électrique de Graphene

Published on November 17, 2012 at 4:39 AM

Les Chercheurs à l'Institut de Recherches de Nanoelectronics de l'Institut National de la Science et Technologie Industrielle Avancée (AIST), dans le travail commun avec une équipe de NIMS dirigée par M. Kazuhito Tsukagoshi, un Investigateur Principal de MANA au Centre International de NIMS pour des Matériaux Nanoarchitectonics, ont développé une technique nouvelle pour régler la conductivité électrique du graphene.

Résumé

Une équipe dirigée par M. Shu Nakaharai, un Chercheur Intensif Montré au Centre de Nanoelectronics de Vert d'Équipe de Recherche de Collaboration (ci-après, GNC ; Amorce : Naoki Yokoyama), Institut de Recherches de Nanoelectronics (Directeur : Seigo Kanemaru), Institut National de la Science et Technologie Industrielle Avancée (ci-après, AIST ; Président : Tamotsu Nomakuchi), et M. Shinichi Ogawa, un Chercheur Invité à l'Institut de Recherches de Nanoelectronics, Centre d'Innovation d'AIST pour Nanodevices (Directeur Avancé : Hiroyuki Akinaga), dans la recherche commune avec une équipe dirigée par M. Kazuhito Tsukagoshi, un Investigateur Principal de MANA au Centre International pour des Matériaux Nanoarchitectonics (ci-après, WPI-MANA ; Directeur général : Masakazu Aono), Institut National pour la Science Des Matériaux (Ci-après, NIMS ; Président : Sukekatsu Ushioda), développé une technique nouvelle pour régler la conductivité électrique du graphene.

Dans la technique développée dans cette recherche, un faisceau d'ions d'hélium est irradié sur le graphene utilisant un microscope d'ion d'hélium pour introduire artificiellement une concentration faible des défauts en cristal, et il devient possible de moduler le mouvement des électrons et des trous dans le graphene en appliquant une tension à l'électrode de porte. Bien Que ce phénomène de contrôle de conduction par l'introduction des défauts en cristal ait été prévu théoriquement, il n'y avait aucun exemple dans lequel le fonctionnement mise en marche/arrêt à la température ambiante a été réalisé expérimental. Il est possible d'introduire la technique développée dans ce travail dans le cadre existant de la technologie de production, y compris des disques de vaste zone.

Des Détails de cette technologie ont été présentés à la Conférence Internationale 2012 sur les Dispositifs Semi-conducteurs et les Matériaux (SSDM2012) retenus à Kyoto, Japon des 25-27 septembre 2012.

Source : http://www.nims.go.jp

Last Update: 17. November 2012 05:42

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