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Posted in | Nanobusiness

Hiden-Produkteinführungs-Zäsium-IonenGewehr für Maß von Elektronegativen Elementen

Published on January 29, 2009 at 10:46 AM

Analytisches Hiden führen das neue IG-5C Zäsium-IonenGewehr für Hauptionenträgeranwendungen in SIMS-Maß von elektronegativen Elementen und für Zäsiumcluster-analysen ein. Mit eindeutiger Kleinleistungs-, Hochhelligkeit Ionenquelle, kompakter Ionenspalte und Trägerlenkblock, die das Gewehr ideal entsprochen zu dynamischem prüft, Static und Darstellung SIMS.

Der intensive Träger von den Zäsiumionen, die aus der Oberflächenionisierungsquelle produziert werden, wird in hohem Grade fokussiert und einen justierbaren Abstieg der Spotgröße zu gerade 20 Mikron erzeugt. Die Ionenquelleinheit ist- kompakt, selbstjustierend und einfach auszutauschen. Strahlenenergie ist von 5kev zu 0.5kev, mit Strahlströmen zu 150nA variabel. Der Anbauflansch ist der Conflat-Artige Flansch 2.75inch/70mm Durchmessers und das Gerät wird differenzial gepumpt, um wahren UHV-Druck beizubehalten.

Regelung des IG-5C ist über eine PC-basierte Schnittstelle, einfache und reproduzierbare Installation erlaubend. Die Schnittstellenbediengeräte die Elektrodenparameter und das thermische Management der Ionenquelle und stellen Konfigurationsoptionen für die hoch aktuellen und kleinen Stellenanwendungen zur Verfügung. Der Trägerraster kann mit einer minimalen Schleifenzeit von 64 Mikrosekunde und durch eine Strahlauslenkung von +/-4mm außen getrieben werden. Ein interner Voreinstellungsraster wird zusätzlich für Vorbereiten- der Oberflächebehandlungen zur Verfügung gestellt. Direkte Kopplung mit einem Hiden MAXIMEN- oder EQS-SIMS Detektor aktiviert das automatisierte Signal, das für Datenerfassung der Daten- und Oberflächendarstellung von irgendeinem vorher festgelegt Bereich innerhalb der Summe gescannten Oberfläche mit einem Gatter versieht.

Last Update: 14. January 2012 12:59

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