OARS - Open Access Rewards System
DOI : 10.2240/azojono0123

有特殊用途的唯一和多被围住的碳 Nanotubes 的选择由导电性和场致发射属性的在原处描述特性的

DESYGN IT - 特刊

设计、 Nanotubes 综合和增长行业技术的

亚娜 Andzane,约瑟夫 M. Tobin, Zhonglai 李, Juris Prikulis,标记 Baxendale、 Håkan Olin,贾斯廷 D. Holmes 和 Donats Erts

版权 AZoM.com 有限公司 Pty。

这是在许可证无限制的使用提供原始工作适当地被援引,但是被限制到非商业配电器和再生产的 AZo 桨被分配的一个偶氮开路奖励系统 (AZo 桨) 条款 http://www.azonano.com/oars.asp 条件下

提交: 2007年th 11月 6日

张贴: 2007年th 11月 16日

DOI : 10.2240/azojono0123

包括的事宜

摘要

背景

方法和材料

SWCNTs Nanotubes

管类型 MWCNTs

竹类型 MWCNT

SCF 增长的 Nanotubes

结果和论述

场致发射属性

使用二探测方法的电子描述特性

Nanotube 质量

结论

鸣谢

参考

联络详细资料

摘要

使用一个原地传输电子显微镜扫描挖洞显微镜 (TEM-STM) 技术,各自的唯一和多被围住的碳 nanotubes 导电性和场致发射属性,增长用化工蒸气和超临界可变的证言技术,被估计了。 传导性和场致发射评定从 nanotube 电极距离得到了并且与观察联系。 实验场地所有碳 nanotubes 的放射特性调查很好适合对捕野禽者Nordheim 等式,当不同的功函是应用的。 在场致发射上的区别和导电性属性被分析并且与碳 nanotubes 的结构有关。 存在的这个方法这里适用于 CNT 的在原处选择与期望属性的特殊电子应用的。

背景

碳 nanotubes (CNTs) 是与各种各样潜在的应用的有吸引力的材料。 CNT 基于多种电子设备,例如晶体管 [1-5],逻辑电路 [6 个] nanoelectromechanical 设备, [7-9] 传感器 [10,11] 被展示了。 在 1995 从 CNTs 的场致发射报告了 [12,13] 和 nanotubes 成为有为的候选人作为域电子放射器。 [14-17]。 高长宽比 (对直径的长度) CNTs 导致一个高域改进系数,有利对场致发射。

这些应用需求有形资产的一个异常的组合,例如结构上的坚硬、电传导性和小的密度,仅拥有由 CNTs。 电子设备应该也承受焦耳热化和高强度重点造成的高温避免设备故障。

因为 nanotubes 可以用与多种结构的不同的方法增长, CNT 的一种适当的类型的选择一种有选择性的应用的是一项富挑战性的任务。 CNTs 可以用多种方法准备例如弧光放电、激光烧蚀,化学气相沉积 (CVD),超临界流动 (SCF) 和其他 [18-20] 与 CVD 生产最用途广泛的方法。

对于很大数量的应用,例如场致发射,调查在 CNT 影片或列阵主要进行了。 在各自的 nanotubes 的直接比较评定比在列阵或很大数量的 CNTs 的平均描述特性情报。

场致发射和各自的 nanotubes 的导电性属性以及降低和故障参数由很多个组调查,例如, (参见 [21-24]。 然而,就我们所知,那里有是在不同的 nanotubes 执行的研究调查在相同的试验条件下。 单独情况是现在可以得到的在寿命、各自的 nanotube 放射器 [21,23,24 的] 降低和故障以及在导电性属性,电子细分各自的 nanotubes 的结构和参数在二点的描述特性 [22 时],但是它经常是有问题的比较不同的 nanotubes 属性由于是的试验条件相同的。

在本文我们报告导电性和场致发射属性的一个系统的研究单一围住的,多被围住,包括竹子构建的碳 nanotubes (BCNTs) 和单一被围住的 CNT 充满 C60 分子。 所有结构在相同的情况下调查并且被比较了。 最近被开发的在原处技术 [25-29] 联络安排和形状可以被调整和被观察在评定期间用于我们的实验。 nanotubes 用化学气相沉积和 (CVD)超临界可变的 (SCF) 方法准备。

方法和材料

扫描挖洞显微镜,编译在传输电子显微镜 (TEM-STM) [29,30 的] 范例持有人,用于操作和探查 nanotubes 如图 1. 所示。 nanotubes 是保税的在金子技巧上使用电子导电性粘合剂 CW2400,电触点被联系; 第二个技巧在 TEM 使用了作为对电极,并且能直接地被观察。

测量建立的图 1. 概要在传输电子显微镜里面的

实验在运行在 80 kV 的飞利浦 TEM-301 显微镜被执行了,装备用图象购买的一台敏锐的图 II CCD 照相机。 在范例房间的真空是大约 10-3 Pa。 偏压和范例当前是由来源仪表 (Keithley 6430) 控制的。

碳 nanotubes 是由 CVD 和 SCF 技术导致的。 nanotubes 的长度在 600 毫微米和 8 µm 之间,并且半径在 7 和 50 毫微米之间。 非从 Aldrich 的被净化的多被围住的碳 nanotubes 被评定了供参考。

CVD 增长的墙壁和 multiwall CNTs 在 MgO 支持的 Co/Mo (管类型 nanotubes) CNTs 被综合了和 Pd/Mo (竹类型 nanotubes) 催化剂。 MgO 由 Mg 准备 (OH)2 在 450 ºC 的2 CO 的3 分解在 6 hr [31]。

SWCNTs Nanotubes

Co (不) .6H0 和3 (2NH2) MoO.HO 的4水溶液6242准备并且混合有与 Co 的 MgO 技术支持:3:2 Mo 槽牙比例通过烘干按照在烤箱在 80Co。 干前体粉末然后被锻烧了在 550 ºC 这种催化剂的 0.3 g 在石英管安置了,并且加热对 800 在 H/Ar 一块还原气层的 ºC 以 300 ml 分钟的流速-1 30 Min. 甲烷然后被投向管以 50 ml Min. 的流速。-1 SWNT 形成的增长期间被设置了在 60 分钟,在后熔炉冷却了对室温。 要获取纯 SWNT 材料,准备的材料对待与 6 M HNO3 和由水洗涤去除这种催化剂。

管类型 MWCNTs

Co (不) .6H0 和3 (2NH2) MoO.HO 的4水溶液6242准备并且混合有与 Co 的 MgO 技术支持:Mo 3:4 体重比通过烘干按照在烤箱在 80Co。 干前体粉末然后被锻烧了在 550 ºC 这种催化剂的 0.3 g 在石英管安置了,并且加热到在 H/Ar 一块还原气层的 ºC 以2 300 ml 分钟的流速 -1 30 Min. 甲烷然后被投向管以 200 ml 分钟的流速与-1 H/Ar 的 8002 100 ml Min. 的流速。-1 MWNT 形成的增长期间被设置了在 60 分钟,在后熔炉冷却了对室温。 要获取纯 MWNT 材料,准备的材料对待与 6 M HNO3 和由水洗涤去除这种催化剂。

竹类型 MWCNT

Pd (不) .xHO 和 (3NH2)2 MoO.HO 的4水溶液6242与 MgO 技术支持混合,跟随由 30 最小和干燥的声处理。 干前体粉末被焊接了在 ºC 这种催化剂 6 时数 0.3 g 在石英管安置的 500,并且加热对 900 在 H/Ar 一块还原气层的 ºC 以 300 ml 分钟的流速-1 30 Min. 甲烷然后被投向管以 100 ml Min. 的流速。-1 BCNTs 形成的增长期间被设置了在 30 分钟,在后熔炉冷却了对室温。 要获取纯 BCNTs 材料,准备的材料对待与 6 M HNO3 和由水洗涤去除这种催化剂。

SCF 增长的 Nanotubes

SCF 增长的 nanotubes 在 MgO 准备支持 3 wt.% Co 和 4 wt.% Mo 催化剂 [20]。 在一个典型的 SCF 证言实验, 0.5 g Co/MgO 催化剂被安置了到高压反应器 (Inconel 625 GR2- 短冷期tite, Inc.) 和减少了使用 H/Ar2 (V/V=20/180 ml 分钟-1) 在 750 30 个最少的 CO 的 °C,当碳源首先被添加了到在 40 °C 的一个 450 ml 不锈钢水库在温度控制的热水锅。 流经系统通过连接碳源水库的入口和出口阀设立,包括一个活塞,到各自 260 ml ISCO 注射器泵 (林肯 NE) 和回应船。 一个反压力管理者维护了这个系统以恒定的压并且通过这个系统控制了 CO 的流速。 回应时间被设置了对 60 Min。 在反应器冷静了冷却对室温后,碳/催化剂粉末对待与 6M HNO3

结果和论述

场致发射属性

对场致发射实验高电潜在 (250 V) 是应用的在 CNT 和对电极之间。 TEM-SPM 设置允许 CNT 的位置的准确控制和评定相对阳极和其他周围的对象 (图 2a)。 这个局部域估计使用 [21],其中 应用的潜在, 是间极距离, 是域改进系数。 他们的长度 L 和半径取决于 nanotubes 的几何域改进系数γ 作为γ = (0.87L/r+ 4.5) [32,33]。 在我们的情况,域改进系数超过 100 大多的 nanotubes 调查除了 CVD 象γ=20 的 MWNTs 的增长的管 (表 1)。

图 2b 和表 1 场致发射当前显示比较作为碳 nanotubes 的所有调查的类型的局部域功能。

图 2. a) 一 CVD 增长的 multiwall 碳 nanotube 的 TEM 图象在场致发射评定期间的; b) 对局部域的当前依赖性 CNT 的不同的类型的。 实线符合使用功函 8.1 eV 被计算的捕野禽者Nordheim 原理象 nanotubes 的竹子的和其他的 - 5.1 eV。

一般,在 Co/Mo 催化剂 MWCNT 的场致发射增长的持续在 1.5 - 4.1 V/nm (表 1) 和饱和在局部域的 3.0 - 4.6 V/nm 的局部域,与文件数据是可比较的为多被围住的碳 nanotubes [21]。 我们的数据为 CVD 增长的 SWNTs 没装载和没充满 C60 分子向显示场致发射开始在几乎相同的电压对对 MWNTs 观察的那些。 商业 CVD 增长的新颖的超临界可变的 (SCF) 证言方法展览几乎相同的场致发射特性增长到的 nanotubes (从 Aldrich) 和 MWCNTs 对那些增长用在 Co/Mo 催化剂 (图 2b) 的 CVD 方法。 场致发射和 CNTs 的导电性特性受程度石墨化的影响 [34]。 根据我们的发现,这种情形是更加复杂的。 CVD 增长的 SWCNTs 和 SCF 增长的 nanotubes 的 (图 3) 喇曼光谱在 G 和 D 范围显示出区别高度比例。 G 和 D 范围对应于 sp2 (导电性结构) 和 sp3 (绝缘的结构) 接合在 CNTs。 虽则 G/D 范围比例和结果高度石墨化对在 Co/Mo 催化剂增长的 CNTs 被观察,我们不观察在 CVD 和 SCF 增长的 nanotubes 场致发射属性的卓越的 diffrences。 竹子的 G/D 比例象结构高于为 CVD 增长的 SWCNTs,然而,在 MgO 支持的 Pd/Mo 催化剂竹子被塑造的 MWCNTs 的场致发射增长的用 CVD 方法设置了在更高的局部域 7-8 个 V/nm (图 2b)。

图 3. CVD 增长的唯一墙壁甲烷分解准备的 CNTs 的喇曼光谱在 800C 和由 CO 不相当的 SCF 增长的 multiwall CNTs 在 750C。

当前依赖性对为所有调查的 nanotubes 得到的局部域很好适合对捕野禽者Nordheim 设计 (参见,图 2b 实线),阐明,当前 (i) 每台放射器随这个局部域变化在放射器的表面 (a) [36,37] :

(1)

那里Φ是功函, V 是应用的电压; 并且 d 是间极距离。

对所有 nanotubes,除了 BCNTs,场致发射特性适合对捕野禽者Nordheim 设计,当使用了石墨 5.1 eV [5 的] 功函的一个值。 要求 8.1 eV 的一个功函值使用为从 BCNTs 的放射需要的奇怪局部域。 在这些的连接点 BCNTs 可能影响有效 L/r 比例,确定域改进系数,使放射阈值域更大。

平均场致发射当前是确定的在饱和 (为 CVD 象 MWCNTs 的增长的管参见表 1) 和变化从 10 nA 到 500 nA,从 100 nA 到 1.5 BCNTs 的 µA 和从 150 nA 到 2 SCF 增长的 MWCNTs 的 µA。 商业可用的 (Aldrich) MWCNTs 展览更高的场致发射当前 - 10 μA。 以前场致发射饱和电流的报告的值 CVD 增长的 nanotubes 的在一个非常大间隔变化从 2 nA 到 9 µA [19]。 场致发射 CVD 从 100 nA 变化的增长的 SWCNTs 的饱和电流到 5 空的 µA 和 10 C 的 µA60 装载了 SWCNTs。 在场致发射期间各自的 nanotubes 场致发射当前的描述特性在饱和的动摇及时大约 50% 平均值,类似于以前报告的那些 [38]。

表 1. CNTs 的场致发射特性增长在不同的情况。

属性

MWCNT

管状

SWCNT

SWCNT 充满 C60

MWCNT

Aldrich

MWCNT

SCF

MWCNT

象竹子

放射开始局部域, V/nm

1.5-4.1

3.0-4.9

3.5- .4

4.5-5.5

2.5-4.5

8-10

场致发射当前, μA

0.01-0.5

0.1 - 5.0

0.1 - 10.0

5 - 15

0.15 - 2.0

0.1 - 1.5

中断当前, μA

0.1-1.0

0.15-10.0

2.5-10.0

10-0 25

0.45-3.5

0.45-2.0

中断局部域, V/nm

3.0 - 6.0

4.0 - 6.0

4.0 - 9.0

6.0 - 8.0

3.5 - 8.0

9.0 - 12.0

中断安排

在联络

在联络

逐渐破坏

逐渐破坏

在联络

在联络,逐渐破坏

域改进系数

20±5

110±30

90±10

105±15

135±30

150±30

在高局部域 nanotubes 的故障被观察了 (图 4,表 1)。 故障当前高于饱和电流是大约 2 次。 故障局部域在表 1 存在并且从管状的 MWCNTs 的 3-4.6 V/nm 和象竹子的 MWCNTs 的 12 个 V/nm 变化。 中断 CVD 增长的 nanotubes 的局部域的文件值从在间隔变化的不同的组 3 个到 10 个 V/nm [19,21]。

而 C 充满的 SWNTs 陈列了一高稳定性与中断局部域至 9 个 V/nm,中断 SWCNTs 的60局部域和 MWCNTs (6 个 V/nm) 是可相比较。 C 充满的 SWNTS 的一个逐渐降低60和在高应用的电压 (200-250V) 的 BCNTs 放射器被观察了如图 4 所显示 (也参见表 1.),当其他 nanotubes 失效在 CNT 和金子技巧之间时的弱的联络; 在这种情况下,当发射电流不非常高时, CNT 从金子技巧充分地去除。

图 4。 单一被围住的 CNT 的逐渐破坏充满 C60 分子捆绑在恒定的电压 (200 V) 适用。 图象之间的时间是 10 S。

使用二探测方法的电子描述特性

如图 5a 所显示,为了评定单个 CNTs 的电传导性, nanotube 被带领进入与一个对电极的直接联系。 我 (V) CNTs 的所有类型的特性在本文在图 5c 解决了显示。

表 CVD 增长的 CNTs 的 2. 导电性和中断的特性

属性

SWCNT

SWCNT 充满 C60

MWCNT
管喜欢

MWCNT
竹子喜欢

MWCNT
SCF

MWCNT
Aldrich

中断电压, V

4.5 - 6.0

5.0 - 11.0

4.0 - 4.5

≥25

0.7 - 8.0

0.7 - 5.0

中断当前, μA

12 - 19

7 - 80

10 - 18

≥0.3

0.0003- 0.01

0.0005 - 0.005

中断安排

在联络附近

在中间名附近

在中间名附近

在中间名附近

在中间名附近

在中间附近,在联络附近

相应地所有 nanotubes 的阻力可以分开成二个组。 第一个组的阻力 (管状的 MWCNTs 和 SWCNTs) nanotubes 在间隔变化 250 kΩ - 1MΩ,为 CVD 增长的 CNTs [19 的] 二探测描述特性是典型的。 在此组的阻力减少按 CVD 象 MWCNTs 的增长的管的顺序,空和用 C SWCNTs60 (图 5c) 装载。 与60未装满的 SWNTS 比较, C 充满的 SWNTS 陈列了更低的阻力。 对于 CVD 增长的 BCNTs、商业 MWCNTs 和 SCF 增长的 MWNTs,被评定的阻力由 3 个数量级是高与数据比较为报告的第一个组 nanotubes 以上。 这样区别的原因 SCF 和商业 nanotubes 的可能是一个更低的程度石墨化与在 C0/Mo 催化剂增长的 nanotubes 比较。 如喇曼光谱所显示 (图 3), SCF nanotubes 陈列更低的程度石墨化与在 Co/Mo 催化剂增长的 nanotubes 比较用 CVD 方法。 我们的看法是商务和 SCF 增长的 nanotubes 有与高密的零星外壳缺陷。 在一个二点的描述特性的情况下,对电极联络处理对有缺陷的外壳而不是当前运载较没有缺陷的内壳层。 通过内壳层要提供电子运输,要求更高的电压。 如报告以前,碳 nanotubes 外面层是统治的在电子运输并且确定 nanotubes [22 的] 传导性。 因此可能内在层参加在场致发射上的场致发射重大的区别在 CVD 之间,并且 SCF 增长的 nanotubes 未被观察 (图 2b) 与在阻力 (图 5c) 上的区别比较。 是可能的连接点当前在象结构的竹子均匀地减少在 CNTs 的外面和内在墙壁的传导性。 此属性可能增加场致发射和传导性阻力。

Nanotube 质量

要分析 nanotubes 的质量,确定故障当前和电压 (参见表 2)。 Nanotube 故障当前是 20 CVD 增长的 SWNTs 和 MWNTs 的 µA 和 80 C 充满的 SWNTs 的60 µA。 故障电压是 SWNTs 的 5 个 V 和 C 充满的 SWNTs 的 10 个60 V (参见表 2)。 意味着的竹类型 CNTs 是稳定的甚而在 25 个 V 这些 nanotubes 可以用于高电场应用。 图 5b 向显示 nanotube 在其中间名附近被打乱,对 nanotubes 的所有类型被观察了。 此结果建议管 resistively 激昂,并且这个温度成为局部足够高汽化石墨墙壁; 因而,故障的地点由焦耳热化的没有取决于缺陷出现在 CNT 的。 结果,缺陷的地点没有对 CNT 的断点的作用在观察下。 在其他工作 [19,21 个] nanotube 故障被找到在这个中间名附近和在联络地区。

CVD 方法 5. a) MWCNT 增长的中断在二探测评定期间的和 b) nanotube; c) 之间比较我 (V) CNTs 的不同的类型曲线: 1 - singlewall CNTs 充满 C60 分子, 2 - 请倒空 singlewall CNTs, 3 - multiwall 在 Co/Mo 催化剂增长的 CNTs, 4 - Aldrich 商业可用的 multiwall CNTs, 5 - multiwall 在 Pd/Mo 催化剂增长的 CNTs, 6 - multiwall CNTs 增长用超临界可变的方法。

结论

SWNTs 和 MWNTs 种类场致发射和导电性属性在传输电子显微镜里面的相同的条件下被学习了。 传导性和场致发射属性是 nanotube 结构受抚养者。 在属性上的区别,是否导电性或场致发射,取决于外面层的结构,连接点出现在竹类型 nanotubes 的,并且 nanotubes 是否充满了 C60 分子。 Nanotubes 用 C 分子60 装载了显示改进的导电性和场致发射属性。 与其他 CNT 结构比较,竹结构陈列了更加粗劣的场致发射属性; 然而,这些 nanotubes 是稳定在更高的电场。 我们建议 nanotubes 外面层的质量可能由 3 个数量级减少 nanotubes 传导性,无需重大影响场致发射属性。 Filled 单一围住了,并且象 multiwall 碳 nanotubes 展览更高的中断的域的竹子与空比较选拔和象 multiwall 碳 nanotubes 的管。 在二探测评定期间 nanotubes 的故障在高电场的在或者靠近 nanotube 中间名发生了。 这些结果建议焦耳热化没有取决于这个中断的安排由缺陷的地点在 nanotubes 里面的,然而。 并且, nanotubes 的逐渐破坏在场致发射期间的对 C 被装载的60 SWNTs 和竹类型 MWNTs 被观察了。 这些实验向显示 TEM SPM 装备 DC 电极被证明是为各自的碳 nanotubes 的系统的描述特性的一个重要的工具。 可以被认为优越在石版印刷方法由于结果的更加快速的购买。

鸣谢

此工作由欧盟特定被瞄准的研究计划 DESYGN-IT (没有 NMP4-CT-2004-505626) 和拉脱维亚国家程序在材料学支持。 J.A. 和 J.P. Acknowledge 技术支持从 ESF。

参考

1. 晒黑 S.J., Verschueren A.R.M., Dekker C., “在一唯一碳 nanotube 基础上的室温晶体管”,本质, 393, 49-52, 1998年。

2. Postma H.W. Ch。, Teepen T., Z., Grifoni M., Dekker C., “碳 Nanotube 在室温的单一电子晶体管”,科学, 293, 76-79, 2001年。

3. Auvray S., Derycke V., Goffman M., Filoramo A., Jost O. 和 Bourgoin J。 - P。, “自被汇编的碳 Nanotube 晶体管的化工优化”,纳诺 Lett。, 5(3), 451-455, 2005年。

4. 肖 K.,刘 Y.,虎队 P., Yu G., Fu L. 和朱 D., “高性能场效应晶体管做 multiwall CNx/C nanotube 分子内连接点”, Appl。 Phys。 Lett。, 83(23), 4824-4826, 2003年。

5. 维兹 R.T., Zschieschang U., Effenberger F., Klauk H., Burghard M.,克恩 K., “有在自被汇编的单层基础上的稀薄的门电介质的高性能碳 Nanotube 场效应晶体管’,纳诺 Lett。, 7, 22-27, 2007年。

6. Bathold A., Hadley P., Nakanishi T., Dekker C., “有碳 Nanotube 晶体管的逻辑电路”,科学, 294, 1317-1320 2001年。

7. Rueckes T.,金 K., Joslevich E.,曾 G.Y.,张 C. 和 Lieber C.M., “碳 Nanotube 根据分子计算的非易变随机存取存储器”,科学, 289, 94日 2000年。

8. 李 S.W,李 D.S., Morjan R.E., Jhang S.H., Sveningsson M., Nerushev O.A.,公园 Y.W. 和坎伯 E.E.B, “三个终端碳 Nanorelay”,纳诺 Lett。 4日 2027年 2004年。

9. Ke C., Espinosa H.D., “一个双稳的 NEMS 设备的在原处电子显微镜术机电描述特性”,小, 2(12), 1484 - 1489 2006年。

10. 公园 M.,可乐 B., Siegmund T., Xu J., Maschmann M.R., Fisher T.S. 和金 H., “碳 Nanotube 层的作用对在铜基体之间的电触点阻力”,纳米技术, 17, 2294-2303, 2006年。

11. 布赖恩 H., Halsall H.B.,东 Z., Jazieh A.、 Tu Y.,越共 D., Pixley S., Behbehani M.l 和 Schulz M.J., “碳 Nanotube 针生理传感器”, J. Nanosc。 Nanotechn。, 7, 2293-2300, 2007年。

12. Rinzler A.G., Hafner J.H。, Nikolaev P.,卢霍 L.,金 S.G., Tomanek D., Nordlander P., Colbert D.T., Smalley R.E., “解开的 Nanotubes - 从一个基本电汇的场致发射’,科学, 269(5230), 1550-1553 1995年。

13. Deheer W.A., Chatelain A., Ugarte D., “碳 Nanotube 场致发射电子来源”,科学, 270(5239), 1179-1180 1995年。

14. 越共 Y.M., Kang, W.P.,戴唯圣 Wisitsora 在 A. 的 J.L., Soh K.L., Fisher T.S.,李 Q., Xu J.F., “在硅技巧区域使用 Multiwalled 碳 Nanotubes 的域放射器增长的由微波等离子提高了化学气相沉积”, J. Vac. Sci。 Technol。 B, 21(1), 391-394, 2003年。

15. Bonard J.M., Weiss N. Kind H., Stockli T., Forro L.,克恩 K, Chatelain A., “调整被仿造的碳 Nantoube 影片场致发射属性”,副词。 Mater。, 13(3), 184-188。, 2001年。

16. Wang Q.H., Corrigan T.D.,戴 J.Y.,苌氏 R.P.H., Krauss A.R., “从 Nanotube 捆绑放射器的场致发射在低域”, Appl。 Phys。 Lett。, 70(24), 3308-3310, 1997年。

17. 平底锅 Z.W. Au F.C.K., Lai H.L.,周, W.Y.,太阳 L.F.,刘, Z.Q.,特性 D.S.,李 C.S.,李 S.T., Xie, S.S., “无定形的碳近边缘 x 射波吸收细致结构调查的 Nanowires”, J. Phys。 Chem。 B, 105(8), 1519-1522 2001年。

18. Iijima S., “石墨的碳螺线微管”,本质, 354(6348), 56-58, 1991年。

19. “碳 Nanotubes”。 Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Avouris Ph. 编辑。 在应用物理学,蹦跳的人 Verlag,柏林 80, 1日的事宜 - 430, 2001年

20. 李 Z., Andzane J., Erts D., Tobin J.M., Wang K.,莫妮斯 M.A., Attard G. 和 Holmes J.D. „生长的碳 Nanotubes 一个新的超临界可变的方法”,副词。 Mater。,在新闻中。

21. Bonard J.M., Klinke C.,碳 Nanotube 域放射器的 K.A. 教务长和 Coll B.F.、 “降低和故障”, Phys。 B, 67, 115406 - 1日 2003年。

22. 林斯 P.G.,阿诺德 M.S., Avouris P., “设计碳 Nanotubes 和 Nanotube 电路使用电子细分”,科学, 292 (5517), 706 - 709, 2001年。

23. Wey W.,刘 Y.,江 K.,彭 L.M. 和风扇 S., “技巧冷却效应和失效机理域散发的碳 Nanotubes”,纳诺 Lett。, 7(1), 64-68, 2007年。

24. 丁 F.,焦 K.,林 Y., Yakobson B., “蒸发的碳 Nanotubes 如何保留他们的完美?”,纳诺 Lett。, 7(3), 681-684, 2007年。

25. Ohnishi H., Kondo Y., Takayanagi K. “通过被暂停的金原子各自的行量子化了导率”,本质 395, 780-783, 1998年。

26. Kizuka T. “基本进程在金子的点联络由定期解决的高分辨率透射电镜术” Phys 学习了。 Lett。 81(20), 4448-4451, 1998年。

27. Poncharal P., Wang Z.L., Ugarte D., de Heer W.A. “静电偏折和机电共鸣碳 Nanotubes”,科学 283, 1513-1516 1999年。

28. Cumings J. 和 Zettl A. “从 Multiwall 碳 Nanotubes 认识到的低摩擦 Nanoscale 线性轴承”科学 289, 602-604, 2000年。

29. Erts D., Olin H., Ryen L., Olsson E. 和 Thölén A. “麦克斯韦和 Sharvin 导率在使用 TEM-STM 调查的金点联络 “Phys。 B 61, 12725-12728, 2000年。

30. Erts D., Lõhmus A., Lõhmus R. 和 Olin STM H.、 “与传输电子显微镜结合的手段和 AFM”, Appl。 Phys。, A 72 (7), S71-S74, 2001年。

31. 李 Q.W.,严 H.,城 Y.,张 J.,刘 Z.F., “高纯度单一被围住的碳 Nanotubes 可升级的 CVD 综合与多孔 MgO 的作为支撑材料”, J. Mater。 Chem。, 12(4) : 1179-1183 2002年。

32. Cumings J., Zettl A.,麦卡特尼 M.R. 和 Spence J.C.H., “电子全息术域散发的碳 Nanotubes”, Phys。 Lett。 88, 056804, 2002年。

33. Maiti A., Brabec C.J.,罗兰特 C.M. 和 Bernholc J., “增长能学碳 Nanotubes”, Phys。 Lett。 73, 2468, 1994年。

34. 铃的响声 J.H.,苌氏 C.C.,陈 S.L.、 Lu D.S.,碳 Nanotubes 场致发射属性的 Kung C.Y. 和黄 F.Y. “优化用 Taguchi 方法”,稀薄的 Sol。 影片, 496, 299-305, 2006年。

36. Gadzuk J.W. 和 Plummer E.W., “场致发射能源配电器 (FEED)”, Mod。 Phys。 45, 487-548, 1973年。

37. Brodie I. 和 Spindt C., “真空微电子学”,副词。 电子。 电子。 Phys。 83, 1日 1992年。

38. Tuggle D.W.,焦 J. 和东 L.F. “从查出的碳 nanotubes 的场致发射当前波动”海浪。 肛门的界面。 36, 489-492, 2004年

联络详细资料

亚娜 Andzane, Juris Prikulis 和 Donats Erts

化工物理学院,
拉脱维亚的大学
Raina 大道 19
LV-1586 里加
拉脱维亚

Jana.Andzane@lu.lv
Juris.Prikulis@lu.lv
Donats.Erts@lu.lv

约瑟夫 M. Tobin, Zhonglai 李和贾斯廷 D. Holmes

化学系、材料部分和超临界可变的中心
大学学院黄柏黄柏爱尔兰

并且

研究中心对可适应的 Nanostructures 和 Nanodevices (CRANN)
三位一体学院都伯林
街道地址
都伯林 2,
爱尔兰

joedillanetobin@yahoo.com
j.holmes@ucc.ie

标记 Baxendale

女王玛丽
伦敦大学
伦敦英国

m.baxendale@qmul.ac.uk

Håkan Olin

材料物理
工程物理
中间瑞典大学
Sundswal瑞典

hakan.olin@miun.se

Date Added: Nov 14, 2007 | Updated: Jul 15, 2013

Last Update: 15. July 2013 15:46

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit