Нанотехнология для Всеобщей Памяти

Волей Soutter

Покрытые Темы

Введение
    Настоящие Технологии Памяти
    Всеобщая Память
RAM Nanotube Углерода (RAM CNT)
RAM Изменения Участка (PCRAM)
Магниторезистивный RAM (MRAM)
RAM Многоточия Кванта (RAM QD)
Заключения
Справки

Введение

Память критическая к всем вычислительным приборам, обоим для долгосрочного хранения данных, и для кратковременного хранения пока информация обрабатывается.

В Настоящее Время, различные технологии использованы для разных видов памяти, по мере того как свойства каждого типа памяти довольно рестриктивны.

Настоящие Технологии Памяти

SRAM (Статическое Оперативное Запоминающее Устройство) главным образом использовано в вычислять врезанный высокой эффективностью, и в сверхоперативной памяти для обработчиков и жестких дисков, где свое потребление высокоскоростной и низкой энергии полезно. Оно очень дорог, однако, и имеет очень низкую плотность сравненную к другим формам памяти.

ДРАХМА (Динамическое Оперативное Запоминающее Устройство) также довольно быстрая, и очень плотно и более дешево чем SRAM, делая им настоящий выбор для главных банков памяти в компьютерах, двигая информацию взад и вперед между приводами хранения и обработчиком.

Флэш-память использовано где постоянное хранение необходимо - ДРАХМА требует силы поддерживать расположение 1s и 0s на обломоке, но Внезапный привод слаболетуч, и поэтому будет накапливал данные индефинитно с или без силы. Он относительно дешев и high-density, но не быстрый достаточно для применений RAM. Свойства которые держат данные, котор хранят на внезапной конюшне обломока на до 10 лет также значат что необходима, что пишет большое количество энергии к обломоку, замедляя процесс. Данные по Сочинительства также повреждают внезапный обломок, ограничивая свою полезную продолжительность жизни.

Диаграмма 1. RAM, или Оперативное Запоминающее Устройство, приходят в серии различных форм. Изображенная ДРАХМА, слишком медленна для применений высокой эффективности, и не может накапливала данные без постоянн источника питания. Она использована в компьютерах для того чтобы двигнуть данные взад и вперед между жестким диском и тайником обработчика.

 

Всеобщая Память

Изготовления Полупроводника теперь состязаются для того чтобы произвести «технологии всеобщей памяти», которые совмещают преимущества каждой из этих технологий. Основная цель память с скоростью выборки информации SRAM, но с нелетучестью Вспышки. Несколько потенциальных выбранных, исследованных более подробно ниже, которые правоподобны для того чтобы стать коммерчески конкурсными с настоящими технологиями в пределах следующих 5 до 10 лет.

Другой водитель для начинать эти новые виды технологии держать вверх с степенным прогрессированием Закона Moore. Размер характеристики в кремни-основанных интегральных схемаах halved грубо каждые 2 лет с 1960's, но физические пределы к этому прогрессированию в пределах визирования. Много из всеобщих технологий памяти которые исследуются имеют возможность, котор нужно вычислить по маштабу вниз за пределами цепей CMOS кремния.

RAM Nanotube Углерода (RAM CNT)

Nanotubes Углерода (CNTs) имеют большой потенциал за основа для микросхем памяти. их малый размер и уникально размерность позволяет для взаимодействий между их электрическим и механически свойствами могущие понадобиться для того чтобы конструировать быстро, плотные, и слаболетучие запоминающие устройства хранения данных.

Пока много CNT-основанные конструкции памяти были предложены, затруднение в производить nanotubes в достаточных очищенности и качестве, и с интегрировать nanomaterials с настоящими методами изготовления полупроводника, предотвращало их широко распространённое принятие.

Диаграмма 2. Углерод Nanotubes имеет уникально электронные свойства которые смогли быть использованы для того чтобы сделать сильно эффективные, быстрые, non-volative микросхемы памяти. Однако, много возможностей в приносить технологию для того чтобы выйти - главным образом изготовлять вышед на рынок на рынок nanotubes в достаточн высокий очищенностях.

RAM Изменения Участка (PCRAM)

В 2011, IBM продемонстрировало прорыв в RAM Изменения Участка (PCRAM), который в развитии как потенциальная всеобщая технология памяти на некоторое время. Там никакое сомнение все еще не будет затруднениями в переводить технологию к широкомасштабному процессу изготовления, но свойства очень перспективнейши. в Июне 2012, IBM объявило дело с SK Hynix для того чтобы принять коммерциализацию этой технологии более далее.

Память Изменения Участка основана на специальном материале который имеет 2 возможных участка - кристаллического и аморфического - и может быть переключен между 2 участками используя короткий электрический ИМП ульс. Скорость писания вокруг 100 времен более быстро чем в настоящее время доступное флэш-память, хотя необходимы, что проверяют экстренные деятельности для пишет ошибки и вводить поправку на смещение.

Магниторезистивный RAM (MRAM)

Магниторезистивная технология возмужалая технология, которая за самомоднейшими high-density жесткими дисками. Недавний привод исследования для того чтобы приспособить эту технологию к более высокой скорости, слаболетучей полупроводниковой памяти. Главным образом возможность к этому создать большой, high-density блок магнитных соединений тоннеля, которые использованы для писания к слою хранения. Жесткие диски содержат как раз одно из этих, тогда как обломоку MRAM было бы нужно одно для каждого бита, котор хранят информации.

Потому Что он основал на известной технологии, MRAM горяче наклонено как выбранный для первой памяти универсалии рекламы. Компании как Samsung, Тосиба, IBM, Хитачи и Motorola все включаются в развитие MRAM.

RAM Многоточия Кванта (RAM QD)

RAM Многоточия Кванта использует пятна 3nm-wide материала semiconduictor, вызванные многоточиями суммы, врезанные в слое изолируя материала и покрытые с металлопленочным. Эта структура формирует блок транзисторов, которым используйте к накапливать данные путем изменять положение каждого многоточия суммы используя ИМП ульс лазера миллисекунды.

Эта технология сильно перспективнейша, по мере того как она может достигнуть прочитано/пишет скорости до hundres типов времен более быстро чем существующих памяти, и также разумно легка интегрировать в существующие процессы производства, по мере того как обломоки можно все еще построить от кремния. Будут возможности в вычислять по маштабу вверх по процессу, но не в такой же объем как с снабжать полностью новый материал как nanotubes углерода.

Диаграмма 3. многоточия Кванта малюсенькие кристаллы содержа как раз немного 100 атомов. Память основанная на многоточиях суммы смогла достигнуть гораздо высокее плотностей хранения чем существующие технологии, и имела бы более обширно более длиннюю продолжительность жизни.

Заключения

Главным образом возможности к всей из этих технологий получить их к этапу где их можно изготовить допустимо, предпочтительно используя минимально приспособленное exisiting оборудование. Они должны также состязаться с флэш-память на плотности цены, скорости и данных. В 5 до 10 летах она смогла принять для того чтобы получить, что эти новые виды технологии вышла на рынок, вспышка также выдвинется значительно, поэтому реальные требования для любой новой технологии замены очень высоки.

Щелкните здесь для больше на технологиях памяти на AZoNano.

Справки

Date Added: Jul 30, 2012 | Updated: Sep 23, 2013

Last Update: 23. September 2013 12:32

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit