Samsung Reißt Dichte-Sperre Mit Einführung von Blinken NAND-8Gbit - Neues Produkt nieder

Samsung Electronics Co., Ltd., der Weltmarktführer in hoch entwickelter Halbleiterspeichertechnologie, stellte heute das Flash-Speicher-größtintegrierte Speicherbauelement der Industrie erste des NAND-8Gbit vor. Die Einheit mit hoher Schreibdichte aktiviert ein neues Niveau der Funktionalität in den Speicherteilsystemauslegungen, schnell wachsende Nachfrage nach Speicher von den Produkten wie Digitalkameras, USB-Blinken-Antrieben, PDAs und Spielern MP3 zu befriedigen.

„Die Blinkenlieferungen NAND-8Gbit in einem Industrie führenden Viereck Sterben Satz (QDP) und setzen Samsungs fortschrittliche Teiltechnologie 2Gb und Zellauslegung (SLC) Ein-Niveaue- wirksam ein,“ sagte Jon Kang, Senior-Vizepräsident der Produktplanung und Technik an Samsung Electronics Corp. „die neue NAND-Einheit nutzt die fortgeschrittenen Herstellungsfähigkeiten der Firma und wird produziert auf 12-Zoll- Wafers in einem 90-nm-Prozess.“

„Handys und konvergierende Handeinheiten fahren fort, Multimediamerkmale wie Darstellung, digitale Musik hinzuzufügen, und sogar Video, „sagte Allen Leibovitch, Projektleiter für Halbleiter an IDC, in Mountain View, Calif. NAND-Flash-Speicher ist in der Popularität als, preiswertere Datenspeicherlösung mit hoher Schreibdichte für tragbare Geräte wachsend, und Behördenplatz in diesen konstruiert, besonders Maschinenhälfteneinheiten, ist an einer Prämie.“

Großserienfertigung von Samsungs neuen Bauteilen NAND-8Gbit wird erwartet, um im ersten Viertel von 2004 anzufangen.

Am 16. Dezember 2003 Bekannt gegebenth

Date Added: Feb 23, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:07

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