三星打破了8Gbit NAND閃存介紹的密度屏障 - 新產品
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在先進的半導體存儲器技術的世界領先地位，三星電子有限公司，今天宣布推出業界首個8Gbit NAND快閃記憶體裝置。 高密度的設備將啟用新的功能在存儲子系統的設計水平，以滿足快速增長的產品如數碼相機，USB隨身碟，PDA和MP3播放器的內存需求 。 8Gbit NAND閃存行業領先的四模包（QDP），並充分利用了三星先進的2Gb組件技術和單級單元（SLC）設計的船舶，產品規劃和工程的高級副總裁，三星電子公司的總裁Jon Kang表示，“ “新的NAND器件採用該公司的先進製造能力的優勢，是在90納米工藝的12英寸晶圓生產。“ “移動電話和手持設備的融合繼續添加成像，數字音樂，甚至視頻等多媒體功能，說：”在山景城，IDC半導體計劃經理，艾倫Leibovitch，加利福尼亞州的NAND快閃記憶體是作為一個日益普及在這些設計中的高密度，低成本的移動設備的數據存儲解決方案，和電路板的空間，尤其是翻蓋裝置 ，以溢價。“ 預計在2004年第一季度開始大規模三星新的8Gbit NAND閃存組件的生產 。 |
發表於16 日 2003年12月 |
Last Update: 7. October 2011 09:14