가혹한 환경을 위해 적응된 LEDs - 신기술이 GaN 혁신에 의하여 열매를 산출합니다

Kopin Corp.는 안정성의 아주 낮은 접촉 저항 그리고 아주 고차가 있는 갈륨 질화물 (GaN)에는에 새로운 저항 접촉 기술을 알렸습니다. GaN에 코피로 형성되는, 이 새로운 접촉의 세부사항은 고급 적용 물리학 편지의 11월 18일 판에서 기술됩니다. 이것은 코피 (단 하나 크리스탈) 접촉이 GaN에 형성될 첫번째로, 기업에서 전형적으로 이용되는 다결정 접촉보다 우량하 합니다.

새로운 특허 팬딩되어 있는 저항 접촉은, NanoPockets 이전에 알려진 기술 및 그밖 개선과 함께, Kopin를 그 상업적으로 이용 가능한 만큼 밝은 파란 LED 칩 (CyberLites)를 생성하는 가능하게 하고 그럼에도 불구하고 매우 낮은 전압에 의해 몰 수 있습니다. CyberLites는 전기의 2.9 이하 볼트를 (현재 20 밀리암페어를 위해) - 상업적으로 이용 가능한 LEDs를 위한 3.3 현저하게 더 낮게 볼트 - 요구하고 그럼에도 불구하고 100 millicandela 광도가 있습니다. 수천 볼트에 정전기식 방전에 (ESD) 저항을 가진 CyberLites는 또한 장악됩니다.

"우리의 밝은 조금 빛의 뒤에 많은 혁신적인 과학이 있습니다," 박사를 말했습니다 죤 C.C. Fan, 대통령과 Kopin의 최고 경영 책임자. "우리의 잠재적인 고객에게서 처음 반응은 우수하, 우리는 대량 생산의 목표로 아주 좋은 진전을 보이고 있습니다. 우리는 다가오는 LED 점화 혁명을 시작하지 않았습니다, 그러나 우리는 그것을 중요하게 가속하는 것을 예정합니다."

Kopin의 새로운 저항 접촉은 p 모형 GaN 표면에 금, 니켈 및 금으로 이루어져 있고 470 섭씨 온도에 30 분 동안 공기에서 단련하는 예금 층에 의해 형성됩니다. p-GaN와 접촉하여 금 층은 격자 일치 켜쌓기를 통해 니켈 산화물 성장을 위한 템플렛으로 작동하는 도메인 일치 켜쌓기를 통해 코피로 증가합니다. 네모로 한 10 microohm의 범위 안에 특정 접촉 저항은 cm 측정되었습니다. 접촉 저항을 위한 더 낮은 가치는 층 간격과 어닐링 상태의 추가 최적화로 예상됩니다. 접촉은 아주 안정되어 있습니다 고온 환경 (30 분 동안 350 섭씨 온도) 및 확장한 가혹한 작동 상태를 영속하기 위하여.

CyberLite 접촉은 박사가 Jagdish Narayan 발명하고 Kopin Corporation에 의해 허용된 도메인 켜쌓기 기술을 이용합니다. "도메인 켜쌓기 북캐롤라이나 주립 대학에 큰 격자 미스매치를 가진 필름이 필름 기질 공용영역을 통해 격자면의 정수배의 일치를 통해 증가될 수 있는 박막 성장을 위한 새로운 패러다임,"는 말했습니다 Narayan 박사, 향상된 물자를 위한 NSF 센터의 수훈이 있는 대학 교수 및 디렉터 및 지능적인 구조물, 및 적용 물리학 편지지의 공동 저자입니다. "실내 온도에 GaN에 코피 Au 층의 대형은 활발하 우리의 도메인 켜쌓기에 의해 설명될 수 있습니다. 금과 니켈 산화물의 이 유일한 코피 합성 구조물은 p-GaN에 있는 낮 저항력 저항 접촉 달성에 중요하기 위하여 상상됩니다. 뿐만 아니라 파란 LED를 위해 중요한 이 저항 접촉 기술은 제조하고 있습니까, 또한 아주 활발한 과학적으로."

교수 재료 과학과 기술설계 의 프로리다의 대학의 수훈이 있는 교수에 따르면 폴 Holloway, 날조하는 "큰 격자 부적격자를 가진 코피 접촉 층을 도메인 켜쌓기는 저항 접촉을 위한 그러나 박막 헤테로 구조체를 위한 박막 성장에 있는 아주 중요한 공정표를, 뿐만 아니라, 일반적으로 나타냅니다. 추가적으로, p 모형 GaN를 위해 네모로 한 10 microohm의 접촉 저항은 cm 우수하 LED의 더 나은 성과 귀착됩니다."

2002년 11월th 18일 배치하는

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:13

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