Oxford Instruments trabajando estrechamente con el fabricante líder de LED para la fabricación de semi-polar capa de GaN para dispositivos optoelectrónicos

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

En la última década, el Grupo III de nitruro de los materiales se han utilizado ampliamente para los diodos emisores de luz visible y ultravioleta y los diodos azules, láser violeta. La mayoría de estos dispositivos optoelectrónicos suelen ser fabricados en el convencional polar (0001) c plano los materiales de sustrato orientado. Dispositivos crecido en la orientación del sustrato polar sufre la polarización indeseable espontánea y piezoeléctricos que resulta significativo en la banda de flexión en el pozo cuántico. Esto reduce la eficiencia de recombinación radiativa y disminuye el rendimiento del dispositivo.

Ahora el equipo técnico de Oxford Instruments -TDI, dirigido por el Dr. Alexander Usikov, ha hecho progresos significativos en la solución de este problema, y está trabajando en estrecha colaboración con un fabricante líder de LED para la fabricación de estas capas semi-polar de GaN para dispositivos optoelectrónicos. Esto aumentaría la eficiencia de recombinación radiativa y el rendimiento del dispositivo.

Con el fin de disminuir estos efectos de polarización, el crecimiento de GaN relacionados con los dispositivos a lo largo de las direcciones semi-polares y no polares se ha estudiado intensamente. Utilizando hidruro de epitaxia en fase de vapor (HVPE), el equipo ha crecido de alta calidad, semi-polar (11,2) orientado en GaN (10,0) m-plano de zafiro con una capa intermedia entre el substrato de zafiro y la capa de GaN.

El semi-polar (11,2) capas de GaN se cultivaron en el rango de temperatura desde 930 hasta 1050 ° C en un ambiente inerte argón a presión atmosférica. Galio y aluminio fueron utilizados como materias primas metálicas y de cloruro de hidrógeno (HCl) y el amoníaco (NH3), como los gases de activos para el proceso de HVPE. El crecimiento epitaxial de GaN se llevó a cabo en aproximadamente 60μm / hora con una capa intermedia depositado en m-plano de zafiro seguida de una capa de nitruro de galio dopado. El crecimiento de los resultados del procedimiento de alta calidad, semi-polar capa de nitruro de galio con un espesor de hasta 30 micras.

Last Update: 3. October 2011 16:24

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