I Ricercatori Dimostrano il Electroluminescence Usando le Schiere Altamente State Allineate di SWNTs

Published on September 8, 2009 at 8:31 PM

I transistor di Effetto Di Campo (FETs) basati sui nanotubes unico murati del carbonio (SWNTs) esibiscono un intervallo degli effetti optoelettronici compreso electroluminescence vicino all'infrarosso.

Punti dell'Emissione: Un'immagine composita di electroluminescence da una schiera dei nanotubes del carbonio durante la scansione di tensione del portone.

I risultati di effetto dall'iniezione dei fori e degli elettroni dagli elettrodi opposti nel nanotube, in cui ricombinano ed emettono l'indicatore luminoso.

Gli Avanzamenti nella comprensione del trasporto della tassa e dei fattori che pregiudicano il risparmio di temi di electroluminescence in SWNTs sono necessari da sviluppare le sorgenti luminose del nanoscale.

I Ricercatori al Centro di Argonne per i Materiali di Nanoscale, lavorante con gli scienziati all'Università dell'Illinois al Urbana-Champagne, hanno dimostrato il electroluminescence usando le schiere altamente state allineate di SWNTs. Facendo Uso degli elettroliti invece dell'ossido tradizionale i dielettrici facilita l'iniezione e la capitalizzazione delle alte densità dei fori e degli elettroni alle tensioni molto basse del portone.

I Numerosi punti dell'emissione che corrispondono ai diversi nanotubes sono stati osservati.

Il tunability Supplementare dei beni optoelettronici è raggiunto presentando gli strati sottili di HfO2 e di TiO2 al dielettrico del portone.

Più informazioni: J. Zaumseil, X. Ho, J.R. Guest, G.P. Wiederrecht, J.A. Rogers, ACS Nano, DOI: 10.1021/nn9005736

Last Update: 13. January 2012 18:52

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