El Físico de la Tecnología de Georgia Gana la Medalla de la Sociedad de la Investigación de los Materiales para Desarrollar Epi-Graphene

Published on December 3, 2010 at 4:44 AM

Los Materiales Investigan a Gualterio concedido Sociedad A. de Heer, profesor de la física en el Instituto de Tecnología de Georgia, la SEÑORA Medalla en su reunión de otoño anual en Boston hoy.

A la sociedad para el suyo citó a De Heer “que promovía contribuciones a la ciencia y a la tecnología del graphene epitaxial.” La SEÑORA Medalla reconoce un logro excepcional en la investigación de los materiales en los últimos diez años. Conceden La SEÑORA Medalla para un descubrimiento reciente o un adelanto excepcional específico que tenga un impacto importante en el progreso de un campo material-relacionado.

Conocen a Gualterio A. de Heer, profesor de la física en el Instituto de Tecnología de Georgia, por todo el mundo como el primer para conceptuar el uso del graphene para la electrónica, en 2001. El laboratorio de Heer está trabajando Actualmente en desarrollar el graphene epitaxial como repuesto para el silicio en electrónica.

“Soy muy contento y animado que nuestra investigación para desarrollar el epi-graphene para la electrónica está reconocida ya en este primero tiempo. Esto estimulará ciertamente otros para ensamblarnos en este esfuerzo importante,” dijo a de Heer.

Conocen a De Heer y su laboratorio en la Tecnología de Georgia por todo el mundo como el primer para conceptuar el uso del graphene para la electrónica, en 2001. El laboratorio de Heer está trabajando Actualmente en desarrollar el graphene epitaxial como repuesto para el silicio en electrónica.

“Porque el epi-graphene puede poder superar las limitaciones de la velocidad del silicio, mientras que también tienen en cuenta para que menos calor sea generado en una viruta más pequeña, creemos que el graphene muestra gran promesa en poder reemplazar el silicio en la electrónica para las aplicaciones tales como electrónica de la frecuencia ultraalta, donde estos atributos serán necesitados la mayoría,” dijo a de Heer.

“Walt de Heer es un arranque de cinta global en la investigación del graphene, y lo felicitamos en este último reconocimiento de su trabajo importante,” dijo al Presidente G.P. “Brote” Peterson de la Tecnología de Georgia. “La investigación interdisciplinaria que él y sus colegas están haciendo en la Tecnología de Georgia tiene el potencial de cambiar dramáticamente la industria de electrónica activando el uso de este material prometedor en las futuras generaciones de dispositivos electrónicos de alto rendimiento.”

De Heer ganó un grado en la física doctoral de la Universidad de California - Berkeley en 1986. Él trabajó en el École Polytechnique Fédérale de Lausanne en Suiza a partir de 1987-1997.

Actualmente un Profesor de la Física en la Tecnología, de Heer de los Regentes dirige el Laboratorio Epitaxial de Graphene en la Escuela de la Física y lleva al Grupo de Investigación Interdisciplinario Epitaxial de Graphene en el Centro de la Ciencia y de la Ingeniería de la Investigación de los Materiales de la Tecnología de Georgia.

De Heer y sus grupos de investigación ha hecho contribuciones importantes a varias áreas en la física nanoscopic. En 1995, la investigación de Heer giró al carbón los nanotubes, mostrando que son emisores excelentes del campo con la aplicación potencial a las pantallas planas. En 1998, él descubrió que los nanotubes del carbón son conductores balísticos, que es una propiedad dominante para la electrónica graphene-basada.

En 2001, su trabajo sobre electrónica nanopatterned del epi-graphene llevó al revelado de la electrónica graphene-basada. Este proyecto fue financiado por Intel Corporation en 2003 y por el National Science Foundation (NSF) en 2004. Su Grafito Epitaxial de papel, Ultrafino: Las Propiedades Bidimensionales del Gas de Electrón y una Ruta Hacia la Electrónica Graphene-Basada, publicada en el Gorrón de la Química Física, descansaron el asiento experimental y conceptual para la electrónica graphene-basada. De Heer lleva a cabo la primera patente para la electrónica graphene-basada que fue limada provisional en junio de 2003.

Fuente: http://www.gatech.edu/

Last Update: 11. January 2012 17:37

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