Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

Samsungs neue 4 Gb, 40 nm-Klasse DDR3-Speicher in HP ProLiant-Servern verwendet werden

Published on January 18, 2011 at 4:15 AM

Samsung Electronics Co., Ltd, dem weltweit führenden Anbieter von fortschrittlichen Speicher-Technologie, gab heute bekannt, dass seine neue 4 Gigabit (Gb)-basierten 40-Nanometer (nm)-Klasse Low-Power-DDR3-Speicher in HP ProLiant G7-Server verwendet werden.

Das neue 4 GB-Speicher-Technologie ermöglicht bis zu 100 Prozent höhere Leistung als die weit verbreitete 60nm-Klasse 1Gb DDR2-Module, und verbrauchen dabei über 84 Prozent weniger Strom. Auch stellt sich die 4GB DDR3 eingetragene Dual Inline Memory Module (RDIMM) Dichte zu 32GB.

"Unsere neuen 4Gb 40nm-Klasse DDR3 ideale grüne Lösung für Server-Hersteller, die das Rechenzentrum der unstillbare Verlangen nach mehr Leistung, höhere Dichten bei niedrigeren Spannungen erfüllen bietet", sagte Jim Elliott, Vice President, Memory Marketing und Produktplanung, Samsung Semiconductor, Inc.

"Die Kunden können die Gesamtleistung des Systems zu optimieren und Kosten niedrig zu halten durch den Einsatz hoher Kapazität und hohem Wirkungsgrad, Memory-Technologie", sagte Jim Ganthier, Vice President of Marketing, Industry Standard Servers und Software, HP. "Branchenführende HP ProLiant Server mit Samsung 4GB Speicher-Technologie kombiniert ermöglicht Clients im Rechenzentrum Server und Verbesserung der Energieeffizienz beim Beschleunigen Anwendungs-Performance."

Speicher spielt eine entscheidende Rolle heute im Rechenzentrum ebenso schnell steigenden Datenverkehr treibt die Nachfrage nach höheren Speicherkapazitäten. Rechenzentren für Stromversorgung und Kühlung Themen sind top of mind für IT-und Facility Manager, die Herausforderung, ihre operative Leistungsfähigkeit und die Leistung optimieren zu erweitern sind, und reduziert den Stromverbrauch.

Eine 16GB Dual-Rank, 4Gb 40nm-Klasse DDR3 basiert registered DIMM (Dual In-line Memory Module) bietet bis zu 67 Prozent schneller als eine 16GB Quad Rank RDIMM und ist lauffähig 1333 an zwei DIMMs pro Kanal (DPC). Dies vergleicht sich mit einem 16GB Quad Rang Geschwindigkeit von 800MHz bei 2DPC. Wenn auf 60nm-Klasse DDR2-basierten RDIMMs läuft mit 667 MHz im Vergleich, führt eine 16 GB Samsung Dual-Rank-Modul doppelt so schnell.

Wenn es um den Stromverbrauch geht, rüstet 48GB Speicher Dichte in einem Server mit der 40nm-Klasse 4 GB DDR3-basierte RDIMMs verwendet auch bis zu 84 Prozent weniger Strom als mit 60nm-Klasse 1Gb DDR2 basierten Modulen aufgebaut.

Darüber hinaus verdoppelt sich einer 32GB Quad Rang Samsung DDR3 gesamten Speicherkapazität in neuen Dual-Prozessor-Servern und erhöht die maximale Speicherkapazität bis 384GB von 192GB.

Quelle: http://www.samsung.com/

Last Update: 7. October 2011 05:38

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit