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Posted in | Graphene

Des Propriétés de Quantum de Bilayer Graphene Peuvent Être Armées Pour Produire le Transistor Neuf d'Effet de Champ Quantique

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

Par Cameron Chai

Une équipe au National Institute of Standards and Technology (NIST) a découvert que les traits électroniques de deux couches de graphème diffèrent sur l'échelle nanoe.

Les résultats prouvent que pas la différence dans la force de charges électriques entre les deux couches diffèrent au-dessus des couches, mais ils s'inversent également dans le sens pour développer les magmas irréguliers des charges positives et négatives. Le rapport de recherche a été publié dans la Physique de Nature, et indique que le développement pourrait aider à employer le graphème dans des appareils électroniques du consommateur.

Les couches de Graphene avec le substrat isolant fait rassembler des électrons (rouges) et des trous d'électron (bleus) en magmas

Le chercheur Nikolai Zhitenev de NIST dit que les variations du potentiel électrique des graphene pourraient volontairement entraîner des lacunes de bande dues à la transmission entre les électrons de graphene ou avec le substrat le graphene est mis au moment.

Selon le camarade Joseph Stroscio, les mesures de NIST prouvez que les interactions entre le substrat isolant irrégulier mène aux magmas des électrons et des trous d'électron dans les couches de graphene. Les Deux sont de à une profondeur plus grande sur la couche la plus faible due à sa proximité au substrat. Cette différence dans des profondeurs de piscine entre les couches mène aux frais alternatifs irréguliers et à l'écartement de bande dans l'espace différent. Le Réglage de la pureté de substrat pourrait permettre à l'équipe de surveiller l'écartement de bande et d'aider à développer les transistors graphene-basés qui peuvent être mise en marche/arrêt commuté comme un semi-conducteur.

Stroscio dit que si la transmission de substrat pourrait être réduite à un minimum, des propriétés de tranche de temps du graphene de bilayer pourraient être employées pour développer un transistor d'effet de champ quantique.

Source : http://www.nist.edu

Last Update: 12. January 2012 17:32

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