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I Beni di Quantum del Doppio strato Graphene Possono Essere Sfruttati Per Creare il Nuovo Transistor di Effetto di Campo di Quantum

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

Da Cameron Chai

Un gruppo al National Institute of Standards and Technology (NIST) ha scoperto che i tratti elettronici di due livelli di grafema differiscono sul disgaggio nano.

I risultati indicano che non la differenza nella concentrazione delle cariche elettriche fra i due livelli differisce sopra i livelli, ma egualmente invertono nella direzione per sviluppare le pozze casuali delle cariche positive e negative. La pubblicazione è stata pubblicata nella Fisica della Natura e rivela che lo sviluppo potrebbe contribuire ad utilizzare il grafema in apparecchi elettronici del consumatore.

I livelli di Graphene con il substrato d'isolamento induce gli elettroni (rossi) ed i fori di elettrone (blu) a raccogliersi in pozze

Il ricercatore Nikolai Zhitenev del NIST dice che le variazioni nel potenziale elettrico dei graphene potrebbero causare volontariamente gli intervalli di banda dovuto la comunicazione fra gli elettroni del graphene o con il substrato il graphene è collocato su.

Secondo il collega Joseph Stroscio, le misure del NIST indichi che le interazioni fra il substrato d'isolamento casuale piombo alle pozze degli elettroni e dei fori di elettrone nei livelli del graphene. Entrambi sono ad una maggior profondità sul livello più basso dovuto la sua vicinanza del substrato. Questa differenza nelle profondità del raggruppamento fra i livelli piombo alle spese alternanti casuali ed all'intervallo di banda nello spazio differente. Gestire la purezza del substrato potrebbe permettere che il gruppo rifletta l'intervallo di banda e contribuisca a sviluppare ai i transistor basati graphene che possono essere inserita/disinserita passato come un semiconduttore.

Stroscio dice che se la comunicazione del substrato potesse essere minimizzata, i beni di quantum del graphene di doppio strato potrebbero essere usati per sviluppare un transistor di effetto di campo di quantum.

Sorgente: http://www.nist.edu

Last Update: 12. January 2012 17:36

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