Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Graphene

De Quantum Eigenschappen van Bilayer Graphene Mogen worden Uitgerust om de Nieuwe QuantumTransistor van het Effect van het Gebied Te Creëren

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

Door Cameron Chai

Een team bij het Nationale Instituut van Normen en Technologie (NIST) heeft ontdekt dat de elektronische trekken van twee graphemelagen op de nano schaal verschillen.

De resultaten tonen aan dat niet het verschil in de elektrische lastensterkte tussen de twee lagen meer dan de lagen verschilt, maar zij keren ook in richting om willekeurige vulklei van positieve en negatieve lasten te ontwikkelen. Het onderzoeksdocument is gepubliceerd in de Fysica van de Aard, en geopenbaard dat de ontwikkeling kon helpen grapheme in de elektronische apparaten van de consument gebruiken.

De lagen van Graphene met het isoleren van substraat veroorzaakt (rode) elektronen en (blauwe) elektronengaten om in vulklei te verzamelen

NIST de onderzoeker Nikolai Zhitenev zegt de variaties in het elektropotentieel van graphene bandhiaten konden vrijwillig veroorzaken toe te schrijven aan communicatie tussen de grapheneelektronen of met het substraat graphene op wordt geplaatst.

Volgens NIST medeJoseph Stroscio, tonen de metingen aan dat de interactie tussen willekeurig isolerend substraat tot vulklei van elektronen en elektronengaten in de graphenelagen leidt. Allebei zijn van bij een grotere diepte op de laagste laag toe te schrijven aan zijn nabijheid aan het substraat. Dit verschil in pooldiepten tussen de lagen leidt tot willekeurige afwisselende lasten en het ruimte verschillende bandhiaat. Het Controleren van de substraatzuiverheid kon het team toestaan om het bandhiaat te controleren en de hulp ontwikkelt graphene-gebaseerde transistors die of weg als een halfgeleider kunnen worden ingeschakeld.

Stroscio zegt dat als de substraatmededeling zou kunnen worden geminimaliseerd, de quantumeigenschappen van bilayer graphene zouden kunnen worden gebruikt om een quantumgebiedseffect transistor te ontwikkelen.

Bron: http://www.nist.edu

Last Update: 12. January 2012 17:31

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit