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カーボン Nanotube の適用範囲が広く、伸縮自在の電子工学のためのベースの製造の技術

Published on December 15, 2011 at 1:59 AM

カメロンシェ著

米国エネルギー省のローレンスバークレーの国立研究所 (バークレーの実験室) の科学者はで未来のプラスチック電子デバイスを発達させる道を開く伸縮自在および適用範囲が広いバックプレーンを総合するための潜在的な低価格方法を有機性ベースの装置のそれと比較されたときより高い荷電粒子移動性および優秀な電気特性を薄膜のトランジスターネットワークに与える大規模な利用の半導体高められたカーボン nanotube の解決、案出しました。

野球をカバーする適用範囲が広く、伸縮自在の薄膜トランジスターアレイのこの光学画像は未来のプラスチック電子デバイスのためのこのバックプレーン材料の機械強さを示します。 (バークレーの実験室の画像礼儀)

彼らの解決ベースの加工技術の使用によって、研究者が単一の囲まれたカーボン nanotubes ことをから成っている薄膜のトランジスターの非常に均一のおよび完全に不動態化されたシーケンスに基づいて機械的に伸縮自在および適用範囲が広い実行中マトリックスのバックプレーンを製造したことをバークレーの実験室の物質科学の部分でバークレー、また能力の科学者カリフォルニア大学でコンピュータ・サイエンスおよび電気工学の教授として役立つアリ Javey は示しました。 金属の接触のインクジェット印刷と共にこの技術は安価な伸縮自在の石版印刷なしの生産を提供することができ、今後数年間適用範囲が広い電子工学と、彼は言いました。

彼らの実行中マトリックスのバックプレーンを製造するためには、研究者はバックプレーンに大体 100 の優秀なオン/オフ比率を提供する半導体単一の囲まれたカーボン nanotubes の 99% を含んでいる単一囲まれたカーボン nanotube の解決を利用しました。 研究者は polymide から成っていた薄く適用範囲が広い基板で今伸縮自在になるように蜜蜂の巣パターンの六角形の穴を形作るのにレーザーを使用しました。 彼らはアルミニウムおよびケイ素酸化物の層の沈殿にそれに続く基板に半導体高められた単一の囲まれたカーボン nanotubes を沈殿させることによってそれから彼らのバックプレーンの製造を完了しました。

Toshitake Takahashi、それ将来示される研究者の者は網のデザインを最適化するか、または穴のサイズを修正することによって directionality の大きさおよび基板の stretchability 調節することができます。

科学者は彼らのカーボン nanotube のバックプレーンの効力を表わすための接触に感じ、答えることができる人工的な電子皮 (e 皮) を構築しました。 空間的な圧力マップのための e 皮はスクエア 24 の領域を持っている 96 のセンサーピクセルでシーケンスを構成します。 動的に個々の薄膜トランジスターによって処理されてあらゆるピクセルが cm。 研究者はそれから圧力マップのための大体 15 kPa の標準圧力の e 皮センサーのアレイ上の L 形式の重量を置きました。

Takahashi は研究者によって発達したより早い e 皮センサー比較されたとき新しい e 皮センサーのアレイが線形操作の政体の感度の三重増加を示したことを示しました。 この高められた感度は単一の囲まれたカーボン nanotube のバックプレーンによって引き起こされた高められた装置パフォーマンスが原因でしたと彼は言いました。 今後数年間、このバックプレーンの技術は多目的人工皮の開発のための複数のセンサーそして他の装置の統合によって拡大することができます。 この技術はまた適用範囲が広い表示のために利用することができますと彼は言いました。

ソース: http://www.lbl.gov

Last Update: 11. January 2012 04:24

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