Tegal Poursuit des Discussions Pour Vendre le Portefeuille Nano Restant de Brevet de Dépôt de Couche

Published on February 16, 2012 at 12:58 AM

Par Cameron Chai

Tegal a déclaré que c'est actuel au cours des discussions pour vendre le quatrième sort de son portefeuille nano de brevet de dépôt de couche concernant des procédés de semi-conducteur.

Le portefeuille restant couvre des technologies et des structures de la transformation de film mince concernant des technologies faibles-k de barrage de diélectrique et d'en cuivre. Tegal avait vendu les sorts de son de couche de dépôt portefeuille nano de brevet 1-3, comportant plus de 30 brevets, à plusieurs enchérisseurs pour une quantité totale d'approximativement $4 millions le 30 décembre 2011. Les fabriquants d'équipement Capitaux ont affiché l'intérêt pour ces brevets, attendu que les agrégateurs (IP) de propriété intellectuelle et les constructeurs d'appareils d'IC affichent l'intérêt pour le quatrième sort.

Les procédés Intégrés seront un stade essentiel de n'importe quelle méthode de transformation intégrée pour les diélectriques faibles-k sophistiqués qui utilisent les films faibles-k poreux. D'ailleurs, le portefeuille du brevet de Tegal comporte des solutions pour des couches d'adhérence et des couches-barrière composées pour les stratégies de cuivre de métallisation, qui se sont avérées être plus significatives pour la déposition en phase vapeur, le dépôt nano de couche, dépôt atomique de couche des couches multiples telles que des couches-barrière, des couches d'adhérence, et des couches de graine de MOIS, de RU ou de Cu.

Des Substituts aux méthodes matérielles existantes de dépôt en phase vapeur avec des méthodes atomiques de dépôt de couche et leurs dérivés sont explorés pour remplir les conditions pour la couverture améliorée de phase, les rapports hauteur/largeur plus élevés, et le contrôle de la diffusion de Cu. Ces nécessités augmentent à leur tour des exigences vis-à-vis du contrôle précis des plans sophistiqués de métallisation, particulièrement aux couches inférieures de métallisation sur les dispositifs sophistiqués de CMOS.

Pour briser les restrictions de couverture de phase des méthodes matérielles de dépôt en phase vapeur, les révélateurs sont selon le dépôt nano de couche et les techniques atomiques de dépôt de couche pour établir la graine, adhérence et couches-barrière avec l'exactitude atomique de couche et contrôle de stoechiométrie, d'uniformité, et d'épaisseur. Par les brevets de Tegal, les agrégateurs d'IP et les révélateurs d'IC peuvent renforcer leur portefeuille de brevet pour des plans sophistiqués de métallisation, particulièrement idéal pour la transformation du dépôt en phase vapeur matériel au dépôt atomique de couche et à d'autres méthodes de couche-par-couche.

Source : http://www.tegal.com/

Last Update: 18. February 2012 08:11

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit