Neue Nanomaterials-Technik, zum der Besseren Elektronik Zu Entwickeln

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

Durch Willen Soutter

Ein Forschungsteam vom Argonne-Nationalen Laboratorium des US-Energieministeriums hat eine neue Technik geplant, die die Leistungsfähigkeit drastisch zu erhöhen und zur Senkung der Kosten der Fabrikation von verschiedenen Baumustern von Halbleitermaterialien fähig ist.

Dieses Bild zeigt die Kanäle, die unter Verwendung der sequenziellen Infiltrationssynthese geätzt werden, der Wissenschaftler bei Argonne gepflegt haben, um Merkmale zu erstellen, die hohe Längenverhältnisse - d.h. haben, sie sind weit tiefer als breit. Diese Gletscherspalten ermöglichen die Schaffung einer neuen Generation der Halbleitermaterialien

Die innovative Technik erfüllt bestimmte Voraussetzungen der internationalen Halbleiter ` Straßenkarte' für 2022. Zur Zeit wird photolithographie verwendet, um Halbleitermuster zu machen, indem man selektiv Teile eines Dünnfilms löscht. Radierung eines Musters, widerstehen alias, in den Halbleiter wird getan, indem sie einem ionisierten Gas freilegt. Jedoch wird das Widerstehung auch weg durch dieses Gas geätzt und so verringert die Wiederverwendungsmöglichkeit dieses Filmes. In Hohem Grade dauerhaft widersteht werden bezeichnet als harte Masken.

Seth-Liebling, ein nanoscientist an Argonne-Nationalem Laboratorium, informiert, dass Gebietseinsturz eine Sperre ist, zum von kleineren Halbleiterbauelementen zu fabrizieren. Forscher sind noch nicht in der Lage, eine Lösung zu finden, um diesen Einsturz zu beseitigen.

Liebling und Kollegen planten eine Methode, die sequenzielle Infiltrationssynthese im Jahre 2010 (SIS) genannt wurde. Die Technik wächst starke anorganische Materialien innerhalb eines weichen Polymerfilmes unter Verwendung der Gase. Das DAMHIRSCHKUH Büro der Wissenschaft unterstützte die Forschung über das Argonne-Nordwestliche Solarenergie-Forschungszentrum und Argonnes Mitte für Nanoscale-Materialien.

SIS vermeidet den Gebrauch von harten Masken in der photolithographie, sagte Liebling. Dieses ist einer der bedeutenden Vorteile von SIS, da harte Masken, mit hohen Kosten komplex sind, Musterqualität verringern und Prozessschritte erhöhen. Bedeutende Halbleiterfirmen haben bereits SIS als Technologie erkannt, die zum Ansprechen von verschiedenen komplexen Herausforderungen fähig ist.

Liebling und Kollegen demonstrierten vor kurzem die Fähigkeit der SI des Beseitigens des Mustereinsturzes und des Erlaubens der Produktion der Materialien mit höheren Aspektverhältnis Mustern. Liebling erklärte, dass eins des Schlüsselnutzens dieser Vorführung die Möglichkeit der Benutzung von SIS für photolithographie ist, ein kritischer industrieller Prozess.

Quelle: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:48

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