Nuova Tecnica dei Nanomaterials Per Sviluppare Migliore Elettronica

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

Dalla Volontà Soutter

Un gruppo di ricerca dal Laboratorio Nazionale di Argonne del Dipartimento Per L'Energia di STATI UNITI Ha inventato una tecnica novella che è capace drasticamente di miglioramento del risparmio di temi e di abbassamento del costo di da costruzione i tipi vari di materiali semiconduttori.

Questa immagine mostra i canali incisi facendo uso della sintesi sequenziale di infiltrazione, che gli scienziati a Argonne hanno usato per creare le funzionalità che hanno alti allungamenti - cioè, essi è ben più profonda di largamente. Questi crepacci permetteranno la creazione di una nuova generazione di materiali semiconduttori

La tecnica innovatrice compie determinati presupposti della carta stradale internazionale del ` a semiconduttore' per 2022. Attualmente, la fotolitografia è usata per fare i reticoli a semiconduttore selettivamente rimuovendo le parti di una pellicola sottile. Incisione di un reticolo, anche conosciuta come resiste a, nel semiconduttore è fatta esponendo ad un gas ionizzato. Tuttavia, la resistenza egualmente è incisa via da questo gas, così facendo diminuire la riutilizzabilità di questa pellicola. Altamente durevole resiste a sono definiti come maschere dure.

Tesoro di Seth, un nanoscientist al Laboratorio Nazionale di Argonne, informato che il crollo del dominio è una barriera per da costruzione le componenti più piccole a semiconduttore. I Ricercatori non possono ancora trovare una soluzione per eliminare questo crollo.

Il Tesoro ed i colleghi hanno inventato un metodo chiamato la sintesi sequenziale di infiltrazione (SIS) nel 2010. La tecnica coltiva i materiali inorganici duri all'interno di una pellicola molle del polimero facendo uso dei gas. L'Ufficio della DAINA di Scienza ha supportato la ricerca via il Centro di Ricerca A energia solare Argonne-Nordoccidentale ed il Centro di Argonne per i Materiali di Nanoscale.

SIS evita l'uso delle maschere dure nella fotolitografia, ha detto il Tesoro. Ciò è uno dei vantaggi principali di SIS poichè le maschere dure sono complesse, a costi elevati, fanno diminuire la qualità del reticolo ed aumentano i punti trattati. Le società Importanti a semiconduttore già hanno riconosciuto SIS come tecnologia capace di indirizzo delle sfide complesse varie.

Il Tesoro ed i colleghi recentemente hanno dimostrato la capacità di SIS' di eliminazione del crollo del reticolo e di permettere la produzione dei materiali con gli più alti reticoli di aspetto-rapporto. Il Tesoro ha specificato che uno dei vantaggi chiave di questa dimostrazione è la possibilità dell'utilizzazione del SIS per la fotolitografia, un processo industriale critico.

Sorgente: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:48

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