Nuova Tecnica dei Nanomaterials Per Sviluppare Migliore Elettronica

Dalla Volontà Soutter

Un gruppo di ricerca dal Laboratorio Nazionale di Argonne del Dipartimento Per L'Energia di STATI UNITI Ha inventato una tecnica novella che è capace drasticamente di miglioramento del risparmio di temi e di abbassamento del costo di da costruzione i tipi vari di materiali semiconduttori.

Questa immagine mostra i canali incisi facendo uso della sintesi sequenziale di infiltrazione, che gli scienziati a Argonne hanno usato per creare le funzionalità che hanno alti allungamenti - cioè, essi è ben più profonda di largamente. Questi crepacci permetteranno la creazione di una nuova generazione di materiali semiconduttori

La tecnica innovatrice compie determinati presupposti della carta stradale internazionale del ` a semiconduttore' per 2022. Attualmente, la fotolitografia è usata per fare i reticoli a semiconduttore selettivamente rimuovendo le parti di una pellicola sottile. Incisione di un reticolo, anche conosciuta come resiste a, nel semiconduttore è fatta esponendo ad un gas ionizzato. Tuttavia, la resistenza egualmente è incisa via da questo gas, così facendo diminuire la riutilizzabilità di questa pellicola. Altamente durevole resiste a sono definiti come maschere dure.

Tesoro di Seth, un nanoscientist al Laboratorio Nazionale di Argonne, informato che il crollo del dominio è una barriera per da costruzione le componenti più piccole a semiconduttore. I Ricercatori non possono ancora trovare una soluzione per eliminare questo crollo.

Il Tesoro ed i colleghi hanno inventato un metodo chiamato la sintesi sequenziale di infiltrazione (SIS) nel 2010. La tecnica coltiva i materiali inorganici duri all'interno di una pellicola molle del polimero facendo uso dei gas. L'Ufficio della DAINA di Scienza ha supportato la ricerca via il Centro di Ricerca A energia solare Argonne-Nordoccidentale ed il Centro di Argonne per i Materiali di Nanoscale.

SIS evita l'uso delle maschere dure nella fotolitografia, ha detto il Tesoro. Ciò è uno dei vantaggi principali di SIS poichè le maschere dure sono complesse, a costi elevati, fanno diminuire la qualità del reticolo ed aumentano i punti trattati. Le società Importanti a semiconduttore già hanno riconosciuto SIS come tecnologia capace di indirizzo delle sfide complesse varie.

Il Tesoro ed i colleghi recentemente hanno dimostrato la capacità di SIS' di eliminazione del crollo del reticolo e di permettere la produzione dei materiali con gli più alti reticoli di aspetto-rapporto. Il Tesoro ha specificato che uno dei vantaggi chiave di questa dimostrazione è la possibilità dell'utilizzazione del SIS per la fotolitografia, un processo industriale critico.

Sorgente: http://www.anl.gov

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