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Posted in | Nanomagnetics

調査の結果はコンパクトな記憶装置を発達させる道を開きます

Published on July 5, 2012 at 3:03 AM

意志 Soutter によって

ハードディスクに記録されるデータの 1 ビットの磁気原子の現在のカウントはほぼ 3,000,000 です。

スキャンのトンネルを掘る顕微鏡の先端を使用して、定義された電気のパルスは異なった磁気州の間で切替える分子に適用されました。 (写真: CFN/KIT)

ここで、分子ごとの 1 ビットの密度の磁気メモリは機能 Nanostructures、千葉大学および Institut de Physique と Chimie des Matériaux のための (キット) カルルスルーエの技術協会からの科学者によって ' s の中心開発されました。

フランスの SOLEIL のシンクロトロンはまた研究の役割を担いました。 研究者は確実に低伝導性の、非磁気状態と伝導性、電気パルスの使用による磁気国家の間で金属有機性分子を切替えられました。 調査の調査結果はジャーナル、性質の通信連絡で出版されました。

知らせられるハードディスクへの小さいビットサイズのエントリが superparamagnetic 効果によって防がれて得ることもみは、 Toshio Miyamachi 書きます。 この効果は従って磁気メモリ水晶がサイズの減少を用いる熱切換えにより傷つきやすいことを、意味します失われる情報に終って。 研究者は磁気鉄原子が中央原子で保存されるデータを保護するためにシェル機能する 51 原子の有機性分子の中心に置かれる別のアプローチを選びました。

分子の密度ごとの 1 ビットを持っていることのほかに、このタイプの回転のクロスオーバー分子ベースのメモリにまた信頼でき、全く電気執筆プロセスの利点があります。 キットの Physikalisches Institut、 Wulf Wulfhe-kel の研究グループのヘッドは nano スケールの分子に定義された電気のパルスを適用するのに研究者がスキャンのトンネルを掘る顕微鏡を使用したこと知らせました。 これは繰り返し鉄の磁気州だけ、また分子の電気特性を変えます。 従って、 2 つの磁気構成により抵抗を単に測定することによってそれから分子の磁気州のより容易な検出を可能にする可変性の導電率を引き起こします。

この調査は回転のクロスオーバー分子ベースのメモリの主義の実行可能性そして利点を示します。 研究者に従って、分子の spintronic および memristive 特性の組合せは新しい研究フィールドに道を開きます。 Spintronics は個々の粒子の」プロセス情報への磁気回転利用し、 Memristors は抵抗の変化の形でデータを保存するメモリです。

ソース: http://www.kit.edu

Last Update: 5. July 2012 05:05

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