Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Nanomagnetics

De Resultaten van de Studie Baant Weg om Compacte Opslaggelegenheid Te Ontwikkelen

Published on July 5, 2012 at 3:03 AM

Door Zal Soutter

De Huidige telling van magnetische atomen in beet van geregistreerde gegevens over een harde schijf is bijna 3 miljoen.

Gebruikend een uiteinde van de aftasten een tunnel gravend microscoop, werden de bepaalde elektriciteitsimpulsen toegepast op de molecule, die tussen verschillende magnetische staten schakelt. (foto: CFN/KIT)

Nu, beet een magnetisch geheugen met een dichtheid van per molecule is ontwikkeld door wetenschappers van het Instituut van Karlsruhe van het Centrum van de Technologie (UITRUSTING) ' s voor Functionele Nanostructures, de Universiteit van Chiba, en Institut DE Physique et Chimie des Matériaux.

Het synchotron SOLEIL in Frankrijk speelde ook een rol in het onderzoek. De onderzoekers konden een metal-organic molecule tussen een laag-geleidende, niet-magnetische staat en een geleidende, magnetische staat betrouwbaar schakelen door een elektrische impuls te gebruiken. De studiebevindingen zijn gepubliceerd in het dagboek, de Mededelingen van de Aard.

Auteur van Sparren, Toshio Miyamachi informeerde dat de ingang van uiterst kleine bit grootte in een harde schijf die door het superparamagnetic effect wordt verhinderd wordt. Dit effect betekent dat de magnetische geheugenkristallen kwetsbaarder zijn aan thermische omschakeling met het verminderen van grootte, zo resulterend in verloren informatie. De onderzoekers selecteerden een verschillende benadering waarin een magnetisch ijzeratoom in het centrum van een 51 atoom organische molecule wordt geplaatst die shell handelt om de gegevens te beschermen die in het centrale atoom worden opgeslagen.

Naast het hebben beet men per moleculedichtheid, heeft dit type van rotatieoversteekplaats op molecule-gebaseerd geheugen ook het voordeel van betrouwbaar en zuiver elektrisch het schrijven proces. Het Hoofd van het onderzoeksteam in Physikalisches Institut, Wulf Wulfhe -wulfhe-kel van de UITRUSTING informeerde dat de onderzoekers een aftasten een tunnel gravende microscoop gebruikten om bepaalde elektriciteitsimpulsen op de nano-schaalmolecule toe te passen. Dit verandert niet alleen herhaaldelijk de magnetische staat van het ijzer, maar ook de elektrische eigenschappen van de molecule. Aldus, veroorzaken de twee magnetische configuraties veranderlijk geleidingsvermogen, dat beurtelings de gemakkelijkere opsporing van de magnetische staat van de molecule door de weerstand eenvoudig te meten toestaat.

Deze studie toont de principeuitvoerbaarheid en de voordelen van rotatieoversteekplaats op molecule-gebaseerd geheugen aan. Volgens de onderzoekers, zal de combinatie spintronic en memristive eigenschappen in een molecule de weg aan een nieuw onderzoekgebied banen. Spintronics gebruikt individuele deeltjes' magnetische rotatie om informatie te verwerken en Memristors is geheugen dat sparen gegevens in de vorm van variaties in weerstand.

Bron: http://www.kit.edu

Last Update: 5. July 2012 05:04

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit