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Posted in | Quantum Dots | Nanomaterials

創建高表面密度的新的自集合技術 Quantum 加點

Published on July 16, 2012 at 5:27 AM

由意志 Soutter

包括 Drs 的研究小組。 Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma 和 Masafumi Jo 從國家學院的光子的材料部件材料學在叫作半導體數量小點的小滴外延的複雜的自彙編的技術的發展介入。

使形成的 (AFM)超離頻的表面密度數量小點的基本強制顯微鏡圖像相當數量鎵輻照區域降低到 3 單層在增長溫度 30°C。 一個超離頻的表面密度 7.3 x 1011/cm2 達到。

研究員順利地開發了先進的自彙編的技術對表單與記錄表面密度的數量小點。 而且,自被彙編的數量小點編組散發的強大的 photoluminescence,表明構想的技術可能也用於獲得優越水晶質量。

在此技術,高索引表面基體的利用率,鎵小滴創建和結晶在近室溫度和小滴結合抑制通過增加由供應的鎵數量在砷化鎵數量小點的形成被引入被小滴外延。 因此,研究員順利地被創建的自被彙編的砷化鎵數量加點與史無前例的表面密度 7.3x1011/cm2 在一個格子被符合的系統。 他們也發現恢復在結晶時被形成的缺陷在近室溫度是可能的通過運用在熱治療技術的技能的被結晶的數量小點,因而啟用這個數量加點展示強大的 photoluminescence。

小滴外延是實現數量在格子被符合的系統的小點自集合的唯一的技術并且提供嚴密堆積優秀品質數量小點層的更多編號的福利,當保留高結晶性時。 因此,在此研究綜合的超離頻的密度飛機數量小點的嚴密的裝箱非常將實現高容量密度數量小點材料的形成,對傳統技術是不可能的。 此研究鋪平道路發展優越性能數量基於小點的電子和光學設備。

研究發現在應用物理學信函的在線版本報告了。

來源: http://www.nims.go.jp

Last Update: 16. July 2012 07:33

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