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把 6" 商业化的 EpiGaN 委员会 AIXTRON 的二新的 MOCVD 系统 GaN 在 Si 薄酥饼

Published on July 18, 2012 at 5:08 AM

由意志 Soutter

AIXTRON 报告能够运行在多个 6" 的安装和委任二个新的 MOCVD 系统或 8" 配置在哈瑟尔特位于的 EpiGaN 的提前的为特定目的建造的设备,比利时。

EpiGaN 是一家新运作公司导致 III 氮化物外延材料。 这家公司为商品化 6" 将使用反应器 GaN 在硅薄酥饼用于各种各样的功率和 RF 电子设备和先进的 200 mm GaN 在硅薄酥饼的发展的。 AIXTRON 欧洲的服务支持小组安装了并且委任了系统在这个设备。

EpiGaN 的总执行官,玛丽安热尔曼博士阐明,这家公司是 IMEC 空转。 在其资助舍入的完成之后,这家公司准备部署生产能力的设置的有战略意义的计划。 公司和 AIXTRON 多年来往 GaN 在 Si 的从事了,并且基于此经验, AIXTRON 紧密耦合的淋浴喷头系统是理想符合公司的要求。 EpiGaN 小组有对 AIXTRON CCS MOCVD 系统的暴露,当他们在 IMEC 和共同地发行了在 GaN 在 Si 薄酥饼的发展的几份文件。 这家公司相信其岁月的综合化专门技术和 AIXTRON 的先进加工技术和设备将高效地解决高压的挑战 200 mm GaN 在 Si 薄酥饼。

AIXTRON 的副总统和程序管理器功率电子学,弗兰克 Wischmeyer 博士评论这家公司是愉快与 EpiGaN 合作,因为它发展材料、进程和设备更大的区 GaN 在 Si 薄酥饼的。

来源: http://www.aixtron.com

Last Update: 18. July 2012 05:55

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