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Posted in | Nanobusiness

台湾积体电路制造公司提供支持 20 毫微米和 CoWoS 的参考流

Published on October 10, 2012 at 5:40 AM

台湾积体电路制造公司今天宣布了 20nm 和 CoWoS™设计技术支持的准备在开放创新 Platform® 内的 (OIP)由支持 20nm 和 CoWoS™ (在薄酥饼的筹码在基体) 技术的二铸造厂第一参考流发运展示。

使用证明的设计流,台湾积体电路制造公司的 20nm 参考流 (DPT)启用双仿造的技术设计。 导致的 EDA 供营商的工具通过合并 DPT 意识位置合格与台湾积体电路制造公司 20nm 加工技术一起使用和途径、规定期限、实际核实和设计制造的 (DFM)。 使多彀子综合化支持高带宽的新的硅被验证的 CoWoS™参考流,低功率可能快速地达到定期对 3D 集成电路设计的市场。 CoWoS™流通过给他们使用存在也有益于设计员,从导致 EDA 供营商的主流工具。

“这些参考流允许设计员对台湾积体电路制造公司的提前的 20nm 的访问,并且 CoWoS 技术”, Cliff Hou 博士副总统,说 R&D 的台湾积体电路制造公司。 “传送提前一样早期硅和的制造技术和完全地尽可能对我们的客户台湾积体电路制造公司和其 OIP 设计生态系合作伙伴的一个首要目标”。

20nm 参考流

台湾积体电路制造公司的 20nm 参考流使 20nm 设计以 DPT 意识功能减少设计复杂和提供必需的准确性。 DPT 启动包括前着色功能、新的 RC 提取方法、 DPT 停止工作,实际核实和 DFM。 另外,台湾积体电路制造公司和其生态系合作伙伴设计 20nm DPT 标准的 IP 能加速 20nm 处理采用。

CoWoS™参考流

CoWoS™参考流启用 3D 集成电路多彀子综合化。 新的 CoWoS™参考流允许与 3D 集成电路的一个平抑物价与在现有的方法上的最小的变化。 它包括位置的爆沸、填充、互联和 C4 爆沸管理和运输路线; 创新组合爆沸结构; 准确提取和信号完整分析对高速互联在彀子之间; 从包装的筹码的热分析对系统; 并且彀子级和堆积级的测试的一个集成 3D 测试方法。

按客户需要设计参考流和 RF 参考设计工具箱

按客户需要设计参考流启用 20nm 自定义格式的 DPT。 它提供解决方法给 20nm 进程需求,包括一个直接链接以模拟程序的电压从属的 DRC 规律的核实和集成 LDE 解决方法和处理 HKMG 技术。 RF 参考设计工具箱提供新的高频率设计指南。 这些包括 60GHz RF 设计技术支持,通过 (EM) 60GHz 的示例前对实施流和集成的被动设备技术支持的启用客户设计功能的高性能电磁式 (IPD)描述特性。

来源: http://www.tsmc.com

Last Update: 10. October 2012 06:22

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