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Técnica Inovativa Para Controlar a Condutibilidade Elétrica de Graphene

Published on November 17, 2012 at 4:39 AM

Os Pesquisadores no Instituto de Investigação de Nanoelectronics do Instituto Nacional da Ciência e da Tecnologia Industriais Avançadas (AIST), no trabalho comum com uma equipe de NIMS dirigida pelo Dr. Kazuhito Tsukagoshi, um Investigador Principal de MANA no Centro Internacional de NIMS para Materiais Nanoarchitectonics, desenvolveram uma técnica nova para controlar a condutibilidade elétrica do graphene.

Sumário

Uma equipe dirigida pelo Dr. Shu Nakaharai, um Pesquisador Intensivo Designado no Centro de Nanoelectronics do Verde da Equipa de Investigação da Colaboração (em seguida, GNC; Líder: Naoki Yokoyama), Instituto de Investigação de Nanoelectronics (Director: Seigo Kanemaru), Instituto Nacional de Ciência Industrial Avançada e Tecnologia (em seguida, AIST; Presidente: Tamotsu Nomakuchi), e Dr. Shinichi Ogawa, um Pesquisador Convidado no Instituto de Investigação de Nanoelectronics, Centro de Inovação de AIST para Nanodevices Avançado (Director: Hiroyuki Akinaga), na pesquisa comum com uma equipe dirigida pelo Dr. Kazuhito Tsukagoshi, um Investigador Principal de MANA no Centro Internacional para Materiais Nanoarchitectonics (em seguida, WPI-MANA; Director-geral: Masakazu Aono), Instituto Nacional para a Ciência de Materiais (em seguida, NIMS; Presidente: Sukekatsu Ushioda), desenvolvido uma técnica nova para controlar a condutibilidade elétrica do graphene.

Na técnica desenvolvida nesta pesquisa, um feixe de íon do hélio é irradiado no graphene usando um microscópio de íon do hélio para introduzir artificial uma baixa concentração dos defeitos de cristal, e torna-se possível modular o movimento dos elétrons e dos furos no graphene aplicando uma tensão ao eléctrodo de porta. Embora este fenômeno do controle da condução pela introdução dos defeitos de cristal fosse previsto teòrica, não havia nenhum exemplo em que a operação de ligar/desligar na temperatura ambiente foi conseguida experimental. É possível introduzir a técnica desenvolvida neste trabalho na estrutura existente da tecnologia de produção, incluindo bolachas da grande área.

Os Detalhes desta tecnologia foram apresentados na Conferência Internacional 2012 sobre os Dispositivos De Circuito Integrado e os Materiais (SSDM2012) realizados em Kyoto, Japão os 25-27 de setembro de 2012.

Source: http://www.nims.go.jp

Last Update: 17. November 2012 05:44

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