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控制 Graphene 电导率的创新技术

Published on November 17, 2012 at 4:39 AM

先进的行业科学技术 (AIST) 国家学院 Nanoelectronics 研究所的研究员,在联合与 Kazuhito Tsukagoshi 博士带领的 NIMS 小组一起使用, MANA 主要调查人在 NIMS 国际中心为材料 Nanoarchitectonics,开发了新颖的技术的控制 graphene 电导率。

摘要

Shu Nakaharai,一位选定的密集研究员博士带领的小组在协作研究小组绿色 Nanoelectronics 中心 (以后, GNC; 领导先锋: Naoki Yokoyama), Nanoelectronics 研究所 (主任: Seigo Kanemaru),先进的行业国家学院科学技术 (以后, AIST; 总统: Tamotsu Nomakuchi) 和 Shinichi Ogawa, Nanoelectronics 研究所的一位被邀请的研究员, AIST 先进的 Nanodevices (主任创新中心博士: 在联合研究的 Hiroyuki Akinaga),与 Kazuhito Tsukagoshi 博士带领的小组, MANA 主要调查人在国际中心为材料 Nanoarchitectonics (以后, WPI-MANA; 董事长: Masakazu Aono),材料学国家学院 (以后, NIMS; 总统: Sukekatsu Ushioda),被开发控制 graphene 电导率的一个新颖的技术。

在此研究开发的这个技术,氦气离子束在 graphene 被照耀使用氦气离子显微镜人工地引入晶体缺陷的低浓度,并且通过适用于电压调整电子和漏洞的移动在 graphene 变得可能栅电极。 虽然传导控制此现象通过晶体缺陷介绍的理论上预测,没有在室温的开/关运算实验达到的示例。 引入在生产技术现有的结构的此工作开发的这个技术,包括大区薄酥饼是可能的。

此技术详细资料存在了在关于在京都 (SSDM2012) 的 2012 国际会议暂挂的固体器件和材料,日本 2012年 9月 25-27。

来源: http://www.nims.go.jp

Last Update: 17. November 2012 05:41

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