Nanocharacterization Usando los Microscopios de la Capacitancia de la Exploración (SCM)

Temas Revestidos

Antecedentes

Cómo la Microscopia de Exploración de la Capacitancia (SCM) Trabaja

Usando la Microscopia de la Capacitancia de la Exploración Para Investigar Tecnología de Semiconductor del Óxido (MOS) de Metal

Antecedentes

La resolución Espacial de menos de 10 nanómetro ha sido determinada como requisito para el dopante bidimensional exacto y cuantitativo que perfilaba por el Mapa Itinerario Internacional de la Tecnología para los Semiconductores (ITRS). Puesto Que la microscopia de exploración de la capacitancia (SCM) puede potencialmente resolver esta meta, SCM se está convirtiendo en una técnica importante para el perfilado del dopante de las estructuras del semiconductor del sub-micrómetro.

Cómo la Microscopia de Exploración de la Capacitancia (SCM) Trabaja

La técnica de SCM se basa en la reacción de alta frecuencia de la estructura (MOS) del metal-óxido-semiconductor, formada entre la antena de SCM, el óxido de la muestra y el semiconductor. La concentración de dopante del semiconductor bajo antena es caracterizada por el cambio en la capacitancia, C.C., inducida por un cambio, un dV del voltaje de polarización, aplicados entre la antena y la muestra. Lo Contrario que modela técnicas se puede utilizar para extraer la información de la concentración de dopante de las mediciones de SCM.

Usando la Microscopia de la Capacitancia de la Exploración Para Investigar Tecnología de Semiconductor del Óxido (MOS) de Metal

En la realización del trabajo experimental de SCM, hemos encontrado esa fabricación de un óxido sobrepuesto de la calidad razonablemente buena en la muestra, somos importantes para el éxito de las mediciones de SCM en la extracción cuantitativa de la concentración de dopante. En el curso de este trabajo, hemos mostrado que la técnica sí mismo de SCM se puede utilizar como nanoprobe local para determinar la calidad de la capa del óxido en MOS Technology, sin la necesidad de formar la metalización del metal o de la entrada para las mediciones de SCM, pues la punta conductora de la antena funciona como el electrodo de entrada de una estructura del MOS. Algunos aspectos del trabajo de investigación de SCM se realizan en colaboración con Profesor Y.T. Yeow de la Universidad de Queensland, Australia. Además de SCM, también estamos investigando el otro tipo de técnicas de la antena de la exploración para la caracterización de nanostructures, tales como microscopia atómica de la microscopia de la fuerza electroestática y de la fuerza de la conducción.

Fuente: NUS Nanoscience e Iniciativa de la Nanotecnología, Universidad Nacional de Singapur (NUS).

Para más información sobre esta fuente visite por favor el NUS Nanoscience y la Iniciativa de la Nanotecnología.

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:48

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