Nanocharacterization Utilisant des Microscopes de Capacité de Lecture (SCM)

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Mouvement Propre

Comment la Microscopie de Balayage de Capacité (SCM) Fonctionne

Utilisant la Microscopie de Capacité de Lecture Pour Rechercher la Technologie de Semiconducteur Métal Oxyde (MOS)

Mouvement Propre

La Résolution spatiale de moins de 10 nanomètre a été recensée comme condition pour le dopant bidimensionnel précis et quantitatif profilant par le Calendrier de lancement International de Technologie pour les Semi-conducteurs (ITRS). Puisque la microscopie de balayage de capacité (SCM) peut potentiellement atteindre cet objectif, le SCM se développe en technique importante pour le profilage de dopant des structures de semi-conducteur de sous-micromètre.

Comment la Microscopie de Balayage de Capacité (SCM) Fonctionne

La technique de SCM est basée sur la réaction à haute fréquence de la structure (MOS) de métal-oxyde-semi-conducteur, formée entre la sonde de SCM, l'oxyde témoin et le semi-conducteur. La concentration de dopant de semi-conducteur sous la sonde est caractérisée par le changement de la capacité, du C.C, d'induits par une modification de tension de polarisation, dV, appliqué entre la sonde et l'échantillon. L'Inverse modélisant des techniques peut être employé pour extraire l'information de concentration de dopant des mesures de SCM.

Utilisant la Microscopie de Capacité de Lecture Pour Rechercher la Technologie de Semiconducteur Métal Oxyde (MOS)

En menant à bien les travaux expérimentaux de SCM, nous avons trouvé cette fabrication d'un oxyde sus-jacent de qualité passablement bonne sur l'échantillon, est important pour la réussite des mesures de SCM dans l'extraction quantitative de concentration de dopant. Au cours de ce travail, nous avons prouvé que la technique de SCM elle-même peut être employée comme nanoprobe local pour déterminer la qualité de la couche d'oxyde en technologie de MOS, sans nécessité de former la métallisation en métal ou de porte pour les mesures de SCM, car l'extrémité conductrice de sonde fonctionne comme l'électrode de porte d'une structure de MOS. Quelques aspects du travail de recherches de SCM sont effectués en collaboration avec Professeur Y.T. Yeow de l'Université du Queensland, Australie. Sans Compter Que le SCM, nous vérifions également l'autre type de techniques de sonde de lecture pour la caractérisation des nanostructures, tels que la microscopie atomique de microscopie de force électrostatique et de force de conduction.

Source : NUS Nanoscience et Initiative de Nanotechnologie, Université Nationale de Singapour (NUS).

Pour plus d'informations sur cette source visitez s'il vous plaît le NUS Nanoscience et l'Initiative de Nanotechnologie.

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:22

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