Nanoelectronics - 이점, 서비스 및 CPI로 제안되는 기능을 위한 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD)를 위한 원자 층 공술서

커버되는 토픽

배경
Nano를 위한 원자 층 공술서 & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 및 그것의 이점
전통적인 실리콘 트랜지스터 무선 제품에 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD)를 위한 원자 층 공술서의 이점
SiGe 코피 합금을 위한 그밖 응용
CPI에 유효한 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 기능을 위한 원자 층 공술서

배경

생성 더 단단 능률적인 마이크로 칩은 일정한 도전에 남아 있습니다. Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 프로세스를 위한 원자 층 공술서는 반도체 (ITRS)를 위한 국제적인 기술 도로 지도에 의해 코어 혁신의 한으로 이 목표를 장기적으로 실현하기 위하여 인식되었습니다. Tyne에 뉴캐슬의 대학과 협력하여, CPI는 영국의 동쪽 북에 실리콘 박편과 microsystems를 일으키기를 위한 이 중요한 제조공정을 가져오고 그리고 특히 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 물자를 위한 향상된 원자 층 공술서에 연구 및 개발을 위해 디자인된 새로운 청정실을 설치할 것입니다. 실리콘의 범위 - 게르마늄 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 연구 및 개발 서비스를 위한 원자 층 공술서는 중앙 2007년 도중 유효하게 될 것입니다.

Nano를 위한 원자 층 공술서 & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 및 그것의 이점

Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD)를 위한 원자 층 공술서는 웨이퍼와 동일 결정 구조를 취하는 박막을 형성하는 실리콘 박편에 반도체 물자의 공술서 입니다. 트랜지스터의 성과를 향상하는 코피 필름의 우량한 전기 속성입니다. 

전통적인 실리콘 트랜지스터 무선 제품에 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD)를 위한 원자 층 공술서의 이점

물자 구성 및 격자를 통제해서, 나노미터 가늠자에, 다른 코피 층에서 그것 됩니다 반도체에 있는 비발한 전기와 광학적 성질을 만들기 위하여 가능하게 긴장시키십시오. 가장 주목할 만한 상용 응용의 한개는 이미 전통적인 Si 트랜지스터 무선 제품에 (Si) 향상한 성과를 (Ge) 제공하는 이질 접합 양극 트랜지스터에 있는 실리콘 그리고 게르마늄의 코피 합금의 사용입니다.

ALD SiGe 합금을 위한 그밖 응용

ALD SiGe 합금의 그밖 나오는 용도는 도파관과 같은 Si 웨이퍼에 photonics 장치를 통합할 것입니다 마이크로 칩의 차세대를 위한 매우 작은 무료한 금속 산화막 반도체 장치를 위한 지치 Si 층에 대한 연구에서 가벼운 (CMOS) 검출기 또는 이미터, 및 상호 연락합니다 광학.

CPI에 유효한 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 기능을 위한 원자 층 공술서

CPI는 QinetiQ, 박사와 데비드 Robbins Yee Leong 박사 - Malvern에서 2명 중요한 연구 과학자를 끌었습니다. 그(것)들 사이 그(것)들은 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 및 장치 연구 및 개발을 위한 원자 층 공술서의 경험 40 년 이상 지구에 가져옵니다. CPI는 Tyne에 뉴캐슬의 대학에 전기의, 전자 및 컴퓨터 공학의 학교에 있는 목적을 위해 세워지는 청정실로 곧 QinetiQ에서 북쪽 동쪽에 Nano & 모듬 명령 전자공학 (ALD) 장비를 위한 원자 층 공술서를 이전하고 있습니다.

nanoelectronic 장치를 위한 ALD 물자에 대한 Tyne에 뉴캐슬의 CPI와 대학 사이 협조적인 연구가 2006년 도중 시작될 것이라는 점을 연구 및 개발과 더불어, 서비스합니다 온라인으로 2007년 도중 오를 예기됩니다. 

근원: CPI

이 근원에 추가 정보를 위해 CPI를 방문하십시오.

Date Added: Nov 28, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 06:50

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