納諾 & 宏指令電子的 (ALD) 基本層證言 Nanoelectronics 的 - CPI 和設施提供的好處、服務

包括的事宜

背景
納諾的基本層證言 & 宏指令電子 (ALD) 和其好處
基本層證言的好處納諾 & 宏指令電子的 (ALD) 在常規硅晶體管無線產品
對外延 SiGe 合金的其他申請
納諾 & 宏指令電子 (ALD) 設施的基本層證言可用在 CPI

背景

生產更加快速和更加高效的微芯片保持一個恆定的挑戰。 納諾 & 宏指令電子 (ALD) 進程的基本層證言由半導體的 (ITRS) 國際技術模式認可作為其中一核心創新從長遠來看認識到此目標。 與新堡合作大學在泰恩河的, CPI 給在英國東部的北部帶來導致的硅片和微系統此關鍵製造過程,并且設立為在先進的基本層證言的 R&D 特別地設計的新的清潔的房間納諾 & 宏指令電子 (ALD) 材料的。 硅的範圍 - 納諾 & 宏指令電子 (ALD) R&D 服務的鍺基本層證言將變得可用在中 2007年期間。

納諾的基本層證言 & 宏指令電子 (ALD) 和其好處

納諾 & 宏指令電子的 (ALD) 基本層證言是半導體材料的證言在形成承擔晶體結構和這個薄酥餅一樣的薄膜的硅片上的。 它是改進晶體管的性能外延影片的優越電子屬性。 

基本層證言的好處納諾 & 宏指令電子的 (ALD) 在常規硅晶體管無線產品

通過控制物質構成和格子请勞損用不同的外延層,在毫微米縮放比例,它變得可能創建新穎的電子和光學性能在這個半導體。 其中一個最值得注意的商務應用是使用硅和鍺外延 (Si)合金 (Ge)在異質結雙極晶體管,已經提供被改進的性能在常規 Si 晶體管無線產品。

對 ALD SiGe 合金的其他申請

對 ALD SiGe 合金的其他湧現的用途將集成在 Si 薄酥餅的 photonics 設備例如波導,光學互聯和輕的探測器或放射器,和在研究對緊張 Si 層超小的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)設備的微芯片的下一代的。

納諾 & 宏指令電子 (ALD) 設施的基本層證言可用在 CPI

CPI 吸引了從 QinetiQ, Malvern - 大衛 Robbins 博士和 Yee Leong 博士的二位關鍵研究科學家。 在他們之間他們在 40 年期間帶來基本層證言的經驗納諾 & 宏指令電子 (ALD) 和設備 R&D 的給這個區域。 CPI 目前調遷納諾 & 宏指令電子 (ALD) 設備的基本層證言從 QinetiQ 到北部東部到為特定目的建造的清潔的房間在電子,電子和計算機工程學校在新堡大學在泰恩河。

期望在 2006年期間,在 CPI 和新堡之間大學的合作研究在泰恩河的對 nanoelectronic 設備的 ALD 材料將開始,與 R&D 為來在線在 2007年期間服務。 

來源: CPI

關於此來源的更多信息请請參觀 CPI

Date Added: Nov 28, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 06:21

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit