ASU 연구원은 단 하나 분자의 전기저항 - 신기술을 측정합니다

애리조나 주립 대학에 연구원은 단 하나 분자의 전기저항 측정을 위한 상대적으로 똑바른 방법을 개발했습니다. 그것의 정밀도 식으로 어드밴스, 기술적 성취 및 반복성에는, 분자 전자공학의 싹트는 필드에 대한 거대한 충격이 있고 약속합니다.

그들의 방법이 단 하나 분자의 전기저항 측정에 있는 3개의 첨예한 문제를 극복한다고 연구원, Nongjian Tao, ASU 전자 공학 교수 및 그의 학생 Bingqian Xu는, 말했습니다.

"보증이 2개의 전극 사이에서 1개의 분자 언제나 붙어 있는 기술이 인지 우리가 가지고 있는 무엇; 우리는 얼마나 많은 분자가 나타나 지 확인해서 좋습니다; 그리고 우리는 측정의 수천을 수분내에 해서 좋습니다," Tao는 말했습니다.

Tao와 Xu는 과학 탄창의 8월 29일 문제점에 있는 그들의 연구를 간행했습니다. 서류는 측정 표제가 붙습니다 "분자 접속점의 반복한 대형에 의하여 단 하나 분자 저항의."

더 단단 전자 장치를 위한 수요는 엔지니어가 실리콘의 건설되는 회로의 물리적인 한계를 도달하는 때 전자 회로의 신형을 고려하기 위하여 과학자를 밀고 있습니다. 1개의 유망한 대안은 개별적인 분자가 전자 회로를 위한 기초일 분자 전자공학입니다.

분자 전자공학에 있는 어드밴스는 꾸준히 최근에는 했습니까, Tao는 말했습니까, 그러나 기본적인 질문은, 그중 하나 단 하나 분자의 저항은인 무슨입니까 남아 있습니까?

분자 수준에 측정을 만드는 것은 시험되는 물자의 규모와 관련있는 몇몇 문제를 제출합니다, Tao는 말했습니다.

"몇몇을의 이 문제 처리할 수 있는 기술이 있습니다, 그러나 모두 아닙니다," Tao는 말했습니다. "그(것)들은 단 하나 분자의 저항을 결정하는 것을 허용합니다, 그러나 얼마나 많은 분자가 (구역 수색할 수 있던지 어느 것이 약간에서 수천에) 거기 있는지 몇몇에는 측정을 만드는 분자에, 몇몇 항상 없습니다 적당한 접촉이 말하지 않으며 지금도 그 외에는 통계가 거기 없습니다. 우리 것은."

Tao와 Xu는 단 하나 분자 저항의 반복적으로 분자가 2개의 전극에 직접 연결되는 분자 접속점의 수천을 형성해서 측정을 만듭니다. 그(것)들은 금 전극에 강하게 붙일 수 있는 2개의 끝으로 각종 분자에 이 수행했습니다.

ASU 연구원은 분자 접속점을 형성하기 위하여 견본 분자를 포함하는 해결책에 있는 금 기질로 반복적으로 접촉으로 그리고에서 금 스캐닝 터널을 파 현미경 끝을 분자 접속점을 만듭니다.

기질 전극과의 접촉에서 끝 전극을 당기기의 처음 단계 도중, 전도력은 전도력 양 (12,900 옴 이상 1)의 정수 배수에 일어나는 각 단계를 가진 점차적인 형식에서 줄입니다. 전도력 양 단계는 2개의 전극이 단지 약간 금 원자 및 분자에 의해 연결된다는 것을 신호합니다. 추가에게 당기는 것은 마지막 몇 금 원자를 끊고 2개의 전극을 약간 분자에 의해 연결되어 떠납니다.

전도력 양 보다는 더 낮은 이 후기는 많은 크기 순서인 전도력 단계의 신계열 모양으로 관련되고 분자에서 분자에 변화합니다.

"우리의 아이디어 아주 간단합니다,"는 Tao 설명했습니다. "그것의 간명, 그것은 때문에 반복적으로 행해지고 계속 다른 많은 실험에서 없는." 데이터의 질을 제공할 수 있습니다

하는 측정이 분의 동안, 그들의 중요성은 거대할 수 있었습니다, 그는 말했습니다.

"지금 시험하는 것을 시작할 수 있고 그것에서 장치를 건설하기 전에 분자를 이해하기 위하여," Tao는 말했습니다. "이 기술 분자 전자 장치 건설의 노력으로 필요한."는 기본적인 시험 플래트홈을 제공합니다

애리조나 국가에는 물리학과 천문학에 있는 교수를 포함하여 스튜어트 Lindsay와 오토 Sankey 분자 전자공학에 있는 문제를, 수송하기 위하여 기본적인 전자 해결에 중요한 기여금을 한 다른 몇몇 연구원이 있습니다; Devens 돌풍, 토마스 Moore 및 화학과 생화학에 있는 애나 Moore; 그리고 전자 공학에 있는 데비드 도선장.

2003년 8월th 29일 배치하는

Date Added: Nov 20, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 01:54

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