Strumenti di Oxford che Funzionano Molto Attentamente con il Piombo del Produttore del LED Da Costruzione il Livello Semi-Polare di GaN per le Unità Optoelettroniche

Published on March 10, 2009 at 7:53 PM

Negli ultimi dieci anni, i materiali del III-nitruro del Gruppo sono stati ampiamente usati per i diodi luminescenti visibili ed ultravioletti ed i diodi laser blu e viola. La Maggior Parte di queste unità optoelettroniche da costruzione tipicamente (0001) sui materiali del substrato orientati c-aereo polare convenzionale. Le Unità sviluppate sull'orientamento polare del substrato soffrono la polarizzazione spontanea e piezoelettrica indesiderabile con conseguente banda significativa che piega nella buca di potenziale. Ciò diminuisce il risparmio di temi radiattivo di ricombinazione ed abbassa la prestazione dell'unità.

Ora il gruppo tecnico agli Strumenti-TDI di Oxford, piombo dal Dott. Alexander Usikov, ha realizzato i progressi significativi nella soluzione del questo problema e sta lavorando molto attentamente con un produttore principale del LED per da costruzione questo livello semi-polare di GaN per le unità optoelettroniche. Ciò aumenterebbe il risparmio di temi di ricombinazione e la prestazione radiattivi dell'unità.

Per diminuire questi effetti di polarizzazione, la crescita delle unità in relazione con GaN lungo le direzioni semi-polari e non polari è stata studiata intensamente. Facendo Uso dell'epitassia di fase di vapore dell'idruro (HVPE), il gruppo ha coltivato l'alta qualità, (11,2) GaN orientati semi-polare (su 10,0) zaffiri dell'm.-aereo con un livello intermedio fra il substrato dello zaffiro ed il livello di GaN.

(I 11,2) livelli semi-polari di GaN si sono sviluppati nella gamma di temperature da 930 a 1050°C nell'argon inerte ambientale a pressione atmosferica. Il Gallio e l'alluminio sono stati usati come materie grezze ed acido cloridrico ed (HCl) ammoniaca metallici (NH3) come i gas dell'attivo per il trattamento di HVPE. La crescita epitassiale di GaN è stata realizzata all'ora approssimativamente 60µm/facendo uso di un livello intermedio depositato sullo zaffiro dell'm.-aereo seguito da un livello undoped di GaN. La procedura della crescita provoca l'alta qualità, livello semi-polare di GaN con spessore fino a µm 30.

Last Update: 17. January 2012 04:19

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