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EUR el 14.5m para el Revelado de Dispositivos Electrónicos Potentes y Eficientes

Published on March 23, 2009 at 7:15 AM

El equipo Electrónico hace nuestra rutina diaria mucho más fácil - en nuestros trabajos así como en nuestro tiempo libre. Dentro del proyecto de DECISIF, los socios de la cooperación científica e industrial quieren explorar el potencial de “se esforzaron el silicio” para fabricar los dispositivos aún más potentes y ahorros de energía para las computadoras portátiles, los teléfonos movibles y MP3-players.

DECISIF es una piedra miliaria para la producción futura de microprocesadores más potentes y de memorias con el consumo de una energía más inferior dando por resultado tiempo operatorio extendido.

El Ministerio de Educación y la Ciencia Federales (BMBF) concedieron EUR los 8.1m para DECISIF (funcionamiento del Dispositivo y del Circuito reforzado con la Fabricación material del Silicio). Otro EUR los 6.4m será contribuido por los socios GLOBALFOUNDRIES Dresden, Siltronic AG, AIXTRON AG, Centro de Investigación Jülich así como el Max Planck Institute del proyecto de la Física de la Microestructura. También habrá colaboración con los socios STMicroelectronics, SOITEC y LETI del Francés dentro del ámbito del EU-proyecto Medea. El proyecto es coordinado por Profesor Siegfried Mantl del Centro de Investigación Jülich.

Una técnica patentada por el Centro de Investigación Jülich será utilizada entre otros para fabricar el silicio esforzado con las propiedades favorables ya mencionadas. El cedazo cristalino del silicio es desplegado por la deformación mecánica para cambiar las propiedades eléctricas del silicio: las ondas portadoras pueden moverse importante más rápidamente con el transistor, los aumentos potenciales de la frecuencia que cambian y las disminuciones del consumo de energía. Esto borra la manera para más potente y al mismo tiempo incluso transistores más pequeños. Las Propiedades de (global) se esforzaron el silicio serán combinadas con nuevas técnicas para crear el silicio localmente esforzado para alcanzar una movilidad excepcionalmente alta del portador de carga dentro de los transistores. Para lograr esta estructuración nana de la meta será aplicado.

DECISIF construirá un puente de la investigación fundamental del proceso casi producción-listo esforzado del silicio. Combinando el nuevo silicio esforzado y la técnica existente del silicio-en-aislador una nueva generación material en los fulminantes industria-compatibles de 300 milímetros será desarrollada. Estos fulminantes proveerán de la base para las tecnologías futuras del dispositivo y de los transistores geometría de la condición atmosférica mínima de hasta 22 nanómetro.

Last Update: 17. January 2012 02:45

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