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EUR 14.5m per lo Sviluppo degli Apparecchi Elettronici Potenti ed Efficienti

Published on March 23, 2009 at 7:15 AM

La strumentazione Elettronica rende la nostra routine di ogni giorno molto più facile - nei nostri processi come pure nel nostro tempo libero. All'interno del progetto di DECISIF, i partner della cooperazione scientifica ed industriale vogliono esplorare il potenziale di “hanno sforzato il silicio„ per fabbricare le unità ancor più potenti ed economizzarici d'energia per i computer portatili, i telefoni cellulari ed i Lettori MP3.

DECISIF è una pietra miliare per la produzione futura dei microprocessori più potenti e delle memorie con il consumo di energia più basso con conseguente tempo di funzionamento esteso.

Il Ministero della Pubblica Istruzione e la Scienza Federali (BMBF) hanno accordato l'EUR 8.1m per DECISIF (prestazione del Circuito e dell'Unità amplificata con Montaggio materiale del Silicio). Un Altro EUR 6.4m sarà contribuito dai partner GLOBALFOUNDRIES Dresda, Siltronic AG, AIXTRON AG, il Centro di Ricerca Jülich come pure il Max Planck Institute del progetto di Fisica della Microstruttura. Ci egualmente sarà collaborazione con i partner STMicroelectronics, SOITEC e LETI del Francese nell'ambito del UE-progetto Medea. Il progetto è coordinato da Prof. Siegfried Mantl del Centro di Ricerca Jülich.

Una tecnica brevettata dal Centro di Ricerca Jülich sarà usata tra l'altro per da costruzione il silicio sforzato con i beni favorevoli già citati. Il reticolo cristallino di silicio è espanto da sforzo meccanico per cambiare i beni elettrici di silicio: i portatori di carica possono muoversi significativamente più velocemente con il transistor, gli aumenti di commutazione potenziali di frequenza e le diminuzioni del consumo di energia. Ciò annulla il modo per più potente ed allo stesso tempo ancora i più piccoli transistor. I Beni di (globalmente) hanno sforzato il silicio si combineranno con le nuove tecniche per creare il silicio localmente sforzato per raggiungere una mobilità particolarmente alta del portatore di carica all'interno dei transistor. Per raggiungere questa struttura nana di scopo sarà applicato.

DECISIF costruirà un ponte dalla ricerca fondamentale del trattamento quasi produzione-pronto sforzato del silicio. Combinando il nuovo silicio sforzato e la tecnica attuale dell'silicio-su-isolante una nuova generazione materiale sui wafer industria-compatibili da 300 millimetri sarà sviluppata. Questi wafer forniranno alla base per le tecnologie future dell'unità ed ai transistor la geometria di minimo di fino a 22 nanometro.

Last Update: 17. January 2012 03:45

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