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Gli Ingegneri Descrivono la Nuova Tecnica Per Continuare A Riportare In Scala in Transistor di HKMG

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES, la prima azienda manifatturiera avanzata vero globale a semiconduttore del mondo, oggi ha descritto una tecnologia innovatrice che potrebbe sormontare una delle transenne chiave ai transistor alti--K d'avanzamento del portone (HKMG) del metallo, portando all'industria un punto più vicino alla generazione seguente di dispositivi mobili con più potenza di calcolo e notevolmente ha migliorato la durata di vita della batteria.

L'industria a semiconduttore è celebrata per il superamento delle probabilità apparentemente insormontabili per continuare la tendenza verso più piccolo, più velocemente ed i prodotti più di ottimo rendimento. Eseguito in società con IBM con la partecipazione di GLOBALFOUNDRIES' alla Tecnologia Alliance di IBM, la nuova ricerca è destinata per permettere a riportare in scala continuato delle componenti a semiconduttore al vertice di nanometro 22 e di là.

Al Simposio 2009 sulla Tecnologia di VLSI a Kyoto, il Giappone, GLOBALFOUNDRIES ha riferito la prima dimostrazione di una tecnica che permette che lo spessore equivalente dell'ossido (EOT) in un transistor alto--K del portone (HKMG) del metallo riduca ben oltre al livello richiesto per il vertice 22nm, mentre mantiene una combinazione di dispersione bassa, tensioni basse della soglia e di una mobilità di portafili superiore.

“HKMG è una componente critica di GLOBALFOUNDRIES' carta stradale della tecnologia,„ ha detto Gregg Bartlett, vice presidente senior della tecnologia e di ricerca e sviluppo. “Questo sviluppo ha potuto finalmente fornire ai clienti un altro strumento per migliorare la prestazione dei loro prodotti, specialmente nel mercato in rapida crescita per i taccuini e gli smartphones del ultra-portatile con durata di vita della batteria estesa. Insieme con IBM ed i partner di alleanza, stiamo spillando la nostra base di conoscenza globale per sviluppare le tecnologie avanzate che permetteranno che i nostri clienti restino al bordo di attacco di fabbricazione a semiconduttore.„

Per mantenere la precisione di commutazione di un transistor di HKMG, la FINE NASTRO del livello alto--K dell'ossido deve essere diminuita. Tuttavia, diminuire la FINE NASTRO aumenta la corrente di dispersione, che può contribuire ad un aumento nel consumo di energia di microchip. GLOBALFOUNDRIES e IBM hanno sviluppato una nuova tecnica che supera questa barriera, dimostrante per la prima volta che la FINE NASTRO che riporta in scala ben oltre al vertice 22nm può essere raggiunta mentre mantiene la combinazione necessaria di dispersione, di tensioni della soglia e di mobilità di portafili. I risultati sono stati dimostrati con successo con lavorazione N-MOSFET di un'unità con la FINE NASTRO di 0.55nm e un P-MOSFET con la FINE NASTRO di 0.7nm.

Last Update: 17. January 2012 00:11

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