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Posted in | Nanoelectronics | Nanoenergy

エンジニアは HKMG のトランジスターで位取りし続けるように新しい技術を記述します

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES の世界の最初偽りなく全体的な先端の半導体の製造会社は、今日前進高k 金属のゲートのトランジスターに主ハードルの 1 つを克服できる革新的な技術を (HKMG)企業により多くのコンピューティング電力のモバイル機器の次世代に近い方の 1 のステップを持って来ます記述し、非常に電池の寿命を改善しました。

半導体工業は表面上はより小さい、より速く、およびよりエネルギー効率が良い製品の方に傾向を続けるために乗り越えられない確率を克服するために祝われます。 」 IBM によって GLOBALFOUNDRIES と協力して行われて IBM の技術の同盟の参加は、新しい研究へのそして向こう半導体のコンポーネント 22 ナノメーターノードの継続的位取りを可能にするように設計されています。

京都の VLSI の技術の 2009 年のシンポジウムで、日本、 GLOBALFOUNDRIES は高k 金属のゲートのトランジスターの同等の酸化物の厚さが (EOT) 22nm ノードのためにする (HKMG)技術、低い漏出の組合せを必要となる縮小するように、レベルをはるかに越えてに低いしきい値の電圧維持している間報告しました、および優秀なキャリア移動度の最初のデモンストレーションを。

「HKMG GLOBALFOUNDRIES」は技術道路地図の重大なコンポーネントです」、の Gregg バートレットを技術および研究開発の上席副社長言いました。 「この開発は別のツールを結局拡張電池の寿命の超携帯用ノートそして smartphones のための急成長の市場の彼らの製品のパフォーマンスを、特に高めるために顧客に与えることができます。 IBM および同盟パートナーと共に、私達は私達の顧客が」。半導体の製造業のリーディングエッジにとどまることを可能にする先行技術を開発するために私達の全体的な知識ベースを叩いています

HKMG のトランジスターの切換え精密を維持するためには、高k 酸化物の層の EOT は減らなければなりません。 ただし、 EOT を減らすことはマイクロチップのパワー消費量の増加に貢献できる漏出流れを高めます。 GLOBALFOUNDRIES および IBM はこの障壁を克服する漏出、しきい値の電圧およびキャリア移動度の必要な組合せを維持している間 22nm ノードをはるかに越えてに位取りする EOT を達成することができることをはじめて示す新しい技術を開発しました。 結果は 0.55nm の EOT が付いている n MOSFET 装置の製造によって正常におよび 0.7nm の EOT が付いている p MOSFET 示されました。

Last Update: 13. January 2012 23:05

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