Posted in | Nanoelectronics | Nanoenergy

Ingenieurs Beschrijf nieuwe techniek voor de schalen verder in HKMG Transistors

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES , 's werelds eerste echt wereldwijd opererende toonaangevende productie van halfgeleiders, heeft vandaag beschreef een innovatieve technologie die kan overwinnen een van de belangrijkste obstakels om het bevorderen van high-k metal gate (HKMG) transistors, waardoor de industrie een stap dichter bij de volgende generatie mobiele apparaten met meer rekenkracht en sterk verbeterde levensduur van de batterij.

De halfgeleiderindustrie wordt gevierd voor het overwinnen van schijnbaar onoverkomelijke odds om de trend naar kleiner, sneller, en meer energie-efficiënte producten voort te zetten. Uitgevoerd in samenwerking met IBM door middel van GLOBALFOUNDRIES 'deelname aan het IBM Technology Alliance, is de nieuwe onderzoek dat de voortdurende schaalvergroting van halfgeleider componenten aan de 22 nanometer node en daarbuiten mogelijk te maken.

Op de 2009 Symposium over VLSI Technology in Kyoto, Japan, GLOBALFOUNDRIES meldde de eerste demonstratie van een techniek die het equivalent oxide dikte (EOT) maakt in een high-k metal gate (HKMG) transistor naar beneden schaal veel verder dan het niveau dat vereist voor het de 22nm node, met behoud van een combinatie van lage lekkage, laagdrempelige voltages, en een superieure drager mobiliteit.

"HKMG is een cruciaal onderdeel van GLOBALFOUNDRIES 'technologie roadmap," aldus Gregg Bartlett, senior vice president van technologie en onderzoek en ontwikkeling. "Deze ontwikkeling kan uiteindelijk bieden klanten met een andere tool om de prestaties van hun producten te verbeteren, met name in de snel groeiende markt voor ultra-portable notebooks en smartphones met verlengde levensduur van de batterij. In samenwerking met IBM en de alliantie partners zijn we tappen onze wereldwijde kennis om geavanceerde technologieën waarmee onze klanten verblijven in de voorrand van de productie van halfgeleiders te ontwikkelen. "

Het handhaven van de omschakeling precisie van een HKMG transistor, moet de EOT van de hoge-k oxide laag worden verminderd. Echter, het verminderen van de EOT verhoogt de lekstroom, die kunnen bijdragen aan een toename van het stroomverbruik van een microchip. GLOBALFOUNDRIES en IBM hebben een nieuwe techniek ontwikkeld die deze barrière overwint, waaruit voor de eerste keer dat EOT schalen tot ver buiten de 22nm node kan worden gerealiseerd met behoud van de noodzakelijke combinatie van lekkage, drempel spanningen, en de vervoerder mobiliteit. De resultaten werden met succes aangetoond door middel van de fabricage van een n-MOSFET-apparaat met EOT van 0.55nm en een p-MOSFET met een EOT van 0.7nm.

Last Update: 15. October 2011 07:38

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit