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工程师描述新的技术持续称在 HKMG 晶体管

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES,世界的第一家正确地全球前进半导体制造企业,今天描述了可能解决其中一个关键障碍到提前的高的 k 金属门晶体管,带来 (HKMG)这个行业离移动设备较近的下一代的一个步骤有更多计算能力的创新技术和巨大地改进了电池寿命。

半导体行业为解决表面上不可逾越的可能性继续这个趋势庆祝往更小,快速地和更加省能源的产品。 执行与 IBM 合伙通过 GLOBALFOUNDRIES’参与 IBM 技术联盟,新的研究被设计启用持续的称对 22 毫微米节点的以远半导体要素和。

在 VLSI 技术的 2009年讨论会在京都,日本, GLOBALFOUNDRIES 报告了允许在一支高的 k 金属门晶体管的等同的氧化物厚度 (EOT)缩减到充分超过为 (HKMG)这个 22nm 节点要求的这个级别,当维护组合的低损失,低阈值电压时技术和优越载流子迁移率的第一演示。

“HKMG 是 GLOBALFOUNDRIES’技术模式一个重要要素”,资深副总裁说 Gregg 巴特利特,技术和研究与开发的。 “此发展能最终提供客户以另一个工具提高他们的产品性能,特别地在超轻型式笔记本和智能手机的迅速发展的市场上有延长的电池寿命的。 与 IBM 和联盟合作伙伴一道,我们开发我们的全球信息库开发将允许我们的客户坚持在半导体制造前沿的先进技术”。

要维护 HKMG 晶体管的切换精确度,必须减少高的 k 氧化物层的 EOT。 然而,减少 EOT 增加损失当前,可能造成在微芯片的电力消费的一个增量。 GLOBALFOUNDRIES 和 IBM 开发了克服此障碍的一个新的技术,第一次显示出,称对充分超过这个 22nm 节点的 EOT 可以达到,当维护损失、阈值电压和载流子迁移率时的必要的组合。 结果通过生产有 0.55nm EOT 的一个 n MOSFET 设备顺利地被展示了和有 0.7nm EOT 的 p MOSFET。

Last Update: 13. January 2012 20:47

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