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工程師描述新的技術持續稱在 HKMG 晶體管

Published on June 16, 2009 at 9:52 AM

GLOBALFOUNDRIES,世界的第一家正確地全球前進半導體製造企業,今天描述了可能解決其中一個關鍵障礙到提前的高的 k 金屬門晶體管,帶來 (HKMG)這個行業離移動設備較近的下一代的一個步驟有更多計算能力的創新技術和巨大地改進了電池壽命。

半導體行業為解決表面上不可逾越的可能性繼續這個趨勢慶祝往更小,快速地和更加省能源的產品。 執行與 IBM 合夥通過 GLOBALFOUNDRIES』參與 IBM 技術聯盟,新的研究被設計啟用持續的稱對 22 毫微米節點的以遠半導體要素和。

在 VLSI 技術的 2009年討論會在京都,日本, GLOBALFOUNDRIES 報告了允許在一支高的 k 金屬門晶體管的等同的氧化物厚度 (EOT)縮減到充分超過為 (HKMG)這個 22nm 節點要求的這個級別,當維護組合的低損失,低閾值電壓時技術和優越載流子遷移率的第一演示。

「HKMG 是 GLOBALFOUNDRIES』技術模式一個重要要素」,資深副總裁說 Gregg 巴特利特,技術和研究與開發的。 「此發展能最終提供客戶以另一個工具提高他們的產品性能,特別地在超輕型式筆記本和智能手機的迅速發展的市場上有延長的電池壽命的。 與 IBM 和聯盟合作夥伴一道,我們開發我們的全球信息庫開發將允許我們的客戶堅持在半導體製造前沿的先進技術」。

要維護 HKMG 晶體管的切換精確度,必須減少高的 k 氧化物層的 EOT。 然而,減少 EOT 增加損失當前,可能造成在微芯片的電力消費的一個增量。 GLOBALFOUNDRIES 和 IBM 開發了克服此障礙的一個新的技術,第一次顯示出,稱對充分超過這個 22nm 節點的 EOT 可以達到,當維護損失、閾值電壓和載流子遷移率時的必要的組合。 結果通過生產有 0.55nm EOT 的一個 n MOSFET 設備順利地被展示了和有 0.7nm EOT 的 p MOSFET。

Last Update: 24. January 2012 19:26

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