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TSMC는 그것의 28nm 높은 K 금속 문 도로 지도에 낮은 힘 프로세스를 추가합니다

Published on August 24, 2009 at 4:27 AM

제한되는 대만 반도체 제조 회사 (TWSE: 2330, NYSE: 오늘 알려지는 TSM) 그것의 28nm 높은 k 금속 문 도로 지도에 낮은 힘 프로세스를 (HKMG) 추가하고 있다는 것을. 새로운 프로세스는 2010년의 3분기에 있는 리스크 생산을 입력할 것으로 예상됩니다.

회사가 2008년 9월에 있는 기술을 알릴 후 부터 TSMC의 28nm 발달과 경사로는 계획에 남아 있었습니다. 새로운 프로세스의 리스크 생산은 1/4를 거쳐 HKMG (HP) 고성능 프로세스 및 2개 내무반을 거쳐 (LP) 낮은 힘 (SiON) 실리콘 oxynitride 프로세스를 따릅니다. 28nm 낮은 힘 SiON 프로세스를 위한 (LP) 리스크 생산은 2010년 2010년의 1/4 분기의 말을 위해 28nm HP 프로세스를 위한 리스크 생산은 2학기 후에 예상되는 그러나, 계획됩니다.

28nmHPL (HKMG를 가진 낮은 힘) 프로세스는 TSMC의 고성능 HKMG 기술과 문 마지막 접근에 특징 낮은 힘, 낮은 누설 및 매체 높은 성과의 유래물입니다. 그것은 셀룰라 전화 지능적인 netbook, 무선 커뮤니케이션 및 휴대용 소비자 전자공학과 같은 낮은 누설 응용을 지원합니다.

28nm HPL 프로세스는 포괄적인 장치 지원에 완전한 오고 일반적인 시장 응용을 위한 SoC 플래트홈으로 적당한 여겨집니다. 그것은 SiON 진보적인 프로세스에서 더 값이 싸고 더 단단 시간 에 시장이 매력적인 셀 방식과 소형 응용을 위해 있는 28LP 기술에서 분화됩니다.

2008년 9월 소개의 한 부분으로 알려진 28nm HP 프로세스는 또한 문 마지막 접근에, 건설되고 CPUs GPUs, 칩셋, FPGAs, 비디오 게임 장치 및 모바일 컴퓨팅 응용과 같은 성과에 의하여 몬 장치를 지원합니다.

"우리는 TSMC의 28nm 트랜지스터 특성의, 상한 및 저급 성과 위쪽 식으로 우량한 높은 k 금속 문 가족을 위한 문 마지막 접근을 개발했습니다, 그리고 manufacturability," 박사를 말했습니다 잭 일요일 부사장, 연구와 개발, TSMC.

"TSMC는 낮은 힘 응용을 위한 높은 k 금속 문 기술을 개발하는 중요한 기간에 고객과 작동하고 있습니다. 28LP 및 28HP와 결합된 28nm 기술 가족에게 28nm HPL의 추가는, TSMC가 지금 포괄적인 28nm 기술 포트홀리로를 제공한다는 것을," 말했습니다 Mark Liu 선임 부사장, 선진 기술 사업, TSMC, 박사를 의미합니다.

완전히 제품 분화의 넓은 범위를 위해 28nm 기술 가족의 힘을 이용하기 위하여, 고객과 생태계 파트너와 TSMC가 회사의 최근에 밝혀진 열리는 혁신 Platform™에 근거를 둔 포괄적인 디자인 기반을 건설하기 위하여 바싹 작동하고 있습니다. TSMC에 의해 접대된 열리는 혁신 Platform™가, TSMC 고객과 파트너에게 열립니다.

TSMC는 프로세스 증명한 도서관, IP, 설계 도구 및 참고 교류의 기업의 주요한 가공 기술 그리고 주조에서 가장 큰 포트홀리로를 제공하는 세계에서 가장 큰 전용 반도체 주조 입니다. 2008에 있는 회사의 합계에 의하여 처리된 수용량은 놀라워고, 뿐 아니라 TSMC 전체적으로 소유한, SSMC 자회사, WaferTech와 TSMC (중국), 그것의 합작 투자 놀라웠던 4개 8 인치 fabs, 1 진행된 2 12 인치 - GigaFabs™, 6 인치에서 수용량을 포함하여 9백만개 8 인치 동등한 웨이퍼를, 초과했습니다. TSMC는 40nm 생산 기능을 제공하는 첫번째 주조 입니다. 그것의 법인 사령부는 Hsinchu, 대만에 있습니다.

Last Update: 13. January 2012 23:48

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