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台湾积体电路制造公司添加低功率进程到其 28nm 高的 K 金属采空区内运输巷映射

Published on August 24, 2009 at 4:27 AM

台湾半导体被限制的制造企业 (TWSE : 2330, NYSE : ) 今天宣布的 TSM 它添加一个低功率进程到其 28nm 高的 k 金属 (HKMG)采空区内运输巷映射。 更新过程在第三季度预计输入风险生产 2010年。

自从这家公司在 2008年, 9月宣布了技术台湾积体电路制造公司的 28nm 发展和舷梯在计划。 更新过程的风险生产被四分之一按照 HKMG 高性能进程和低功率 (LP)硅氮氧化合物 (SiON)进程被二个季度。 28nm 低功率 SiON 进程的 (LP)风险生产预定于第一季度的结束 2010年,而 28nm HP 进程的风险生产预计在第二季度末, 2010年。

这个 28nmHPL (与 HKMG 的低功率) 进程是台湾积体电路制造公司的高性能 HKMG 技术和功能低功率、低损失和媒体高的性能衍生商品在一个门前个途径。 它支持低损失应用例如移动电话、聪明的 netbook、无线通信和可移植的家电。

28nm HPL 进程来完全与全面设备技术支持和被认为适当作为通用市场应用的一个 SoC 平台。 它从 28LP 技术被区分,为蜂窝电话和手持式应用确定从一个演变 SiON 进程的更加低价和更加快速的定期对市场是最有吸引力的。

28nm HP 进程,宣布作为 2008年 9月简介一部分,在一个门前个途径也被建立并且支持性能被驱动的设备例如 CPUs、 GPUs,芯片组, FPGAs、电子游戏控制台和移动计算机处理技术应用。

“我们开发了是优越根据晶体管特性,高端和低价的性能增长的台湾积体电路制造公司的 28nm 高的 k 金属门系列的一个门前个途径,并且 manufacturability”,杰克太阳,研究与开发,台湾积体电路制造公司副总统,博士说。

“台湾积体电路制造公司运作与客户在一个重要时期开发低功率应用的高的 k 金属门技术。 28nm HPL 的添加对 28nm 技术系列的,结合与这个 28LP 和 28HP,意味着台湾积体电路制造公司现在提供最全面的 28nm 技术投资组合”,说 Mark 刘,资深副总裁,先进技术商业,台湾积体电路制造公司博士。

为各种各样区分的产品充分地使用 28nm 技术系列的功率,台湾积体电路制造公司严密地运作与客户和生态系合作伙伴建立在公司的最近被揭幕的开放创新的全面设计基础设施 Platform™基础上。 开放创新 Platform™,主持由台湾积体电路制造公司,是开放的对台湾积体电路制造公司客户和合作伙伴。

台湾积体电路制造公司是世界的最大的专用的半导体铸造厂,提供行业的主导的加工技术和进程证明的图书馆, IP、设计工具和参考流铸造厂的最大的投资组合。 在 2008 的公司的总额管理的能力超出了 9 百万个 8 英寸等同的薄酥饼,包括从提前的二的能力 12 英寸 - GigaFabs™,四八英寸 fabs,一六英寸很好,以及台湾积体电路制造公司全部拥有的辅助、 WaferTech 和台湾积体电路制造公司 (中国) 和其共同投资很好, SSMC。 台湾积体电路制造公司是提供 40nm 生产功能的第一个铸造厂。 其总公司总部在新竹,台湾。

Last Update: 13. January 2012 14:35

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