Dow Corning Dehnt Sic Epitaxie-Fähigkeiten mit Spätestem Planetarischem Reaktor der Generations-AIXTRON aus

Published on October 12, 2009 at 3:12 AM

Dow Corning und AIXTRON AG kündigte heute an, dass Dow Corning seine Sic Epitaxiefähigkeiten mit dem spätesten Generation AIXTRON Planetarischen Reaktor-Plattform AIX 2800G4 WW für 10x100 mm und Wafers der Zukunft 6x150 mm Sic ausdehnt. Der Reaktor wird geplant, im Zweiten Quartal 2010 in Auftrag gegeben zu werden.

Markieren Sie Loboda, Wissenschaft Und Technik-Manager, Dow Corning Verbindungshalbleiter-Lösungen, sagte, „Nach einer rigorosen Zusammenfassung, wir auswählte die AIXTRON-Anlage, um uns zu aktivieren, die Morphologie, die Defektdichte und die Einheitlichkeit zu entbinden, die von unseren Abnehmern gefordert werden. Die hinzugefügte Kapazität und die Fähigkeit bis zu 150mm erlauben uns, den steigenden Bedarf unseres Abnehmers an der Einheitsproduktion der hohen Leistung schnell zu erfüllen Sic.“

Dr. Frank Wischmeyer, Vizepräsident und Direktor, AIXTRON AB, Schweden, hinzugefügt: „Gebäude ein in 10 Jahren Erfahrung mit unserer Sic Heiß-Wand Planetarischen Reaktortechnologie, sind wir in der Lage, dem nachgewiesenen AIX 2800G4 WW der nächsten Generation Epitaxial- Produktionssystem Sic anzubieten. Die erhöhte Produktivität der Anlage liegt an den Ausrüstungsbeschreibungen wie einer zentralen wassergekühlten dreifachen Gaseinspritzdüse, einer verbesserten Prozessrobustheit und vereinfachten Wartungsvorschriften. Basiert auf nachgewiesener IS-Auslegung AIXTRONS, teilt die Anlage des AIX 2800G4 WW eine geläufige Plattform mit über 300 eingebauten Anlagen weltweit. AIXTRON freut sich, um sich mit Dow Corning Verbindungshalbleiter-Lösungen zusammenzutun, während sie voranbringen Sic Einheiten in die niedrigen herstellenden Großserienkosten.“

Der Ausdruck Planetarisches Reactor® ist ein eingetragenes Warenzeichen.

Last Update: 13. January 2012 16:05

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