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Il Dow Corning Estende Sic le Capacità di Epitassia con l'Ultimo Reattore Planetario della Generazione AIXTRON

Published on October 12, 2009 at 3:12 AM

Il Dow Corning e AIXTRON AG oggi hanno annunciato che il Dow Corning sta estendendo le sue Sic capacità di epitassia con l'ultima piattaforma Planetaria l'AIX 2800G4 WW del Reattore della generazione AIXTRON per 10x100 millimetro ed i wafer di futuro 6x150 millimetro Sic. Il reattore pianificazione per essere incaricato nel secondo trimestre 2010.

Tracci Loboda, il Gestore di Scienza e Tecnologia, Soluzioni A Semiconduttore Composto di Dow Corning, ha detto, “Dopo un esame rigoroso, noi ha selezionato il sistema di AIXTRON per permetterci di consegnare la morfologia, la densità di difetto e l'uniformità richieste dai nostri clienti. La capacità e la capacità aggiunte fino ad un massimo di 150mm permetteranno che noi incontriamo il nostro cliente rapido i bisogni crescenti di produzione dell'unità di alto potere Sic.„

Il Dott. Spedisce In Franchigia Wischmeyer, il Vicepresidente e l'Amministratore Delegato, AIXTRON AB, Svezia, aggiunta: “Bene Immobile sopra in 10 anni di esperienza con la nostra Sic tecnologia Planetaria del Reattore della Piccante-Parete, possiamo offrire alla generazione seguente dimostrata Sic l'AIX 2800G4 WW il sistema di produzione epitassiale. La produttività migliorata del sistema è dovuto le caratteristiche del progetto quali un iniettore di gas triplo raffreddato ad acqua centrale, una robustezza trattata migliore e le procedure di manutenzione semplificate. Sulla Base di progettazione provata di IC di AIXTRON, il sistema di AIX 2800G4 WW divide una piattaforma comune con oltre 300 sistemi installati universalmente. AIXTRON è soddisfatto per partner con le Soluzioni A Semiconduttore Composto di Dow Corning mentre avanzano Sic le unità in basso costo in grande quantità che fabbrica.„

Il termine Reactor® Planetario è un marchio depositato.

Last Update: 13. January 2012 15:26

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