O Dow Corning Estende Sic Capacidades da Epitaxia com o Reactor Planetário O Mais Atrasado da Geração AIXTRON

Published on October 12, 2009 at 3:12 AM

O Dow Corning e AIXTRON AG anunciou hoje que o Dow Corning está estendendo suas Sic capacidades da epitaxia com a plataforma Planetária a mais atrasada AIX 2800G4 WW do Reactor da geração AIXTRON para 10x100 milímetro e bolachas do futuro 6x150 milímetro Sic. O reactor é planeado ser comissão no segundo trimestre 2010.

Marque Loboda, Ciência e o Gerente da Tecnologia, Soluções do Semicondutor Composto de Dow Corning, disse, “Após uma revisão rigorosa, nós seleccionou o sistema de AIXTRON para permitir-nos de entregar a morfologia, a densidade do defeito e a uniformidade exigidas por nossos clientes. A capacidade e a capacidade adicionadas até 150mm permitirão que nós encontrem nosso cliente que cresce ràpida necessidades para a produção do dispositivo do poder superior Sic.”

Dr. Frank Wischmeyer, Vice-presidente e Director Administrativo, AIXTRON AB, Suécia, adicionada: “Construção sobre sobre 10 anos de experiência com nossa Sic tecnologia Planetária do Reactor da Quente-Parede, nós podemos oferecer Sic à próxima geração provada AIX 2800G4 WW o sistema de produção epitaxial. A produtividade aumentada do sistema é devido às características de projecto tais como água central um injector de gás triplo de refrigeração, um vigor melhorado do processo e uns procedimentos de manutenção simplificados. Baseado no projecto provado do IC de AIXTRON, o sistema do AIX 2800G4 WW compartilha de uma plataforma comum com sobre os 300 sistemas instalados no mundo inteiro. AIXTRON é satisfeito partner com Soluções do Semicondutor Composto de Dow Corning porque avança Sic dispositivos no baixo custo do volume alto que fabrica.”

O termo Reactor® Planetário é uma marca registada.

Last Update: 13. January 2012 13:34

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