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Descripción exhaustiva de cuestiones importantes relativas MOSFETs modernos nanómetros

Published on November 4, 2009 at 6:29 PM

Research and Markets , la principal fuente para la investigación de mercados internacionales y datos de mercado, ha anunciado la incorporación de Pan de Stanford publicación Pte.. Ltd. 's nuevo informe " nanómetros CMOS "a su oferta.

Este libro ofrece una visión general de todas las cuestiones importantes relativas al moderno MOSFETs Si. Se trata de los principios de operación MOSFET, la teoría, problemas de escala, y una discusión en profundidad de los MOSFETs nanómetros. Ambos MOSFETs nanómetros clásica, así como no los conceptos clásicos de IC, que reciben poca cobertura en los libros de texto, son tratados en detalle. El dispositivo de estructuras, los méritos y desventajas de los conceptos como tensas MOSFET MOSFET de Si, ultra-delgado cuerpo MOSFETs SOI, y MOSFET de múltiples puerta (finFETs, Tri-gate MOSFETs) se presentan.

Un capítulo entero está dedicado al campo emergente y de rápido crecimiento de RF MOSFET / RF CMOS, y la discusión se extiende a las tendencias de futuro importante en nanómetros de tecnología CMOS y los problemas y los límites de la escala.

Lectores: Graduados y estudiantes de postgrado, investigadores, ingenieros y gerentes de los campos de la ingeniería eléctrica y electrónica y nanoelectrónica y la microelectrónica.

Temas clave de la cobertura:

Evolución y avances recientes en Si Electronics
Fundamentos MOSFET, teoría y modelado
MOSFETs nanómetros
RF MOSFET
Descripción general de nanómetros CMOS Tecnología
Desafíos de la Giga-Escala de Integración

Para más información visite http://www.researchandmarkets.com/research/f10c57/nanometer_cmos

Last Update: 23. October 2011 19:10

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