Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD

Всеобъемлющий обзор важных вопросов, касающихся современного MOSFET-транзисторов нм

Published on November 4, 2009 at 6:29 PM

Исследования и рынки , основным источником международных исследований рынка и рыночных данных, объявила о добавлении Пан Стэнфордского Издание Pte. ООО "Новый отчет" нм CMOS "свои предложения.

Эта книга дает полное представление о всех важных вопросов, касающихся современных транзисторов Si. Он охватывает принципы MOSFET операции, теории, масштабирование вопросы и всестороннего обсуждения нанометровых транзисторов. Оба классических транзисторов нанометрового, а также неклассических концепций MOSFET, которые мало упоминаются в учебниках, рассматриваются в деталях. Приборных структур, достоинства, и недостатки MOSFET такие понятия, как напряженные Si МОП-транзисторов, ультра-тонкий корпус КНИ МОП-транзисторов, МОП-транзисторы и несколько ворот (FinFETs, Tri-ворота МОП-транзисторы) представлены.

Целая глава посвящена новым и быстро развивающейся области РФ МОП / RF CMOS, а также обсуждения распространяется на важные будущие тенденции в нанометрового КМОП-технологии и проблемы и пределы масштабирования.

Аудитория: Выпускники и аспирантов, исследователей, инженеров и менеджеров в области электротехники и электроники и наноэлектроники и микроэлектроники.

Ключевые Рассматриваются следующие темы:

Эволюция и последним достижениям в Si Электроника
MOSFET Основы, теория и моделирование
Нм транзисторов
РФ МОП-транзисторов
Обзор нм CMOS-технологии
Проблемы Giga-степенью интеграции

Для получения дополнительной информации посетите http://www.researchandmarkets.com/research/f10c57/nanometer_cmos

Last Update: 26. October 2011 19:18

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit